第7章 晶体结构.pptVIP

离子键——由原子间发生电子的转移，形成正负离子，并通过静电作用而形成的化学键。 离子型化合物——由离子键形成的化合物。 （2）离子键没有方向性 （4）键的离子性与元素的电负性有关 （1）2电子构型（2）8电子构型（3）18电子构型（4）（18+2）电子构型（5）9 ~ 17电子构型  在离子的半径和电荷大致相同条件下，不同构型的正离子对同种负离子的结合力的大小规律： 8电子层构型的离子9—17电子层构型的离子 18或18+2电子层构型的离子 3.离子半径 （2） CsCl晶体 配位比：8:8 组成：每一个Cs+的周围有8个Cl-；每一个Cl-周围有8个Cs+。 晶格：简单立方 范畴：TlCl CsBr CsI 第7章 晶体结构 §7.2 离子晶体和离子键 晶胞中离子的个数 Cs+ 1个 CsCl离子晶体的结构 第7章 晶体结构 §7.2 离子晶体和离子键 组成：每一个Zn2+的周围有4个S2-；每一个S2-周围有4个Zn2+。 （3）ZnS晶体 配位比：4:4 晶格：面心立方（闪锌矿） 范畴：MnS ZnO AgI 第7章 晶体结构 §7.2 离子晶体和离子键 Zn2+: 4个 ZnS 离子晶体的结构 晶胞中离子的个数 第7章 晶体结构 §7.2 离子晶体和离子键 第7章 晶体结构 §7.2 离子晶体和离子键 第7章 晶体结构 §7.2 离子晶体和离子键 3、配位数和离子半径比的关系 正负离子采用最密堆积时，体系的能量最低。 最密堆积：离子间采取空间最小的排列方式。 密置层 非密置层 第7章 晶体结构 §7.2 离子晶体和离子键 密堆积结构动画演示 第7章 晶体结构 §7.2 离子晶体和离子键 离子间的接触有三种形式： + － － － + + + + － r +/ r－ = 0.414 － － － － + + + + + + + + + + r +/ r－ 0.414 r +/ r－ 0.414 以配位数为6的晶体为例： 第7章 晶体结构 §7.2 离子晶体和离子键 第7章 晶体结构 §7.2 离子晶体和离子键 § 7.3 离子极化 第7章 晶体结构 §7.3 离子极化 7.3.1 离子极化作用 离子极化：在电场的作用下，正负离子的原子核和电子发生位移，导致正负离子变形，产生诱导偶极的过程。 导致：作用力发生变化。 结果：发生电子云重叠。 - + + - 第7章 晶体结构 §7.3 离子 极化 1、离子的极化 由离子键向共价键的过渡 键的极性的增大 离子相互极化的增强 －＋ －＋ . . . . . . . . 键型 离子键 混合键 混合键 共价键 晶体 离子晶体 过渡晶体 过渡晶体 分子晶体 mp 高 较高 较高 低 第7章 晶体结构 §7.3 离子极化 极化力的影响因素 正离子极化力大的标志 离子极化力 高电荷 小半径 构型 (18或18+29-178，2 某离子使异号离子变形的能力；通常考虑正离子的极化力。 第7章 晶体结构 §7.3 离子极化 Pb2+，Zn2+(18，18+2)Fe2+，Ni2+ (9~17) Ca2+，Mg2+ (8e) 如：Mg2+( 8e，65 pm )Ti4+( 8e，68 pm ) （1）r 小则极化能力强 （2）r 相近时，电荷数越高极化能力越强 。 （3）r相近，电荷相同时，外层电子数越多，极化 能力越强。 原因：是外层电子对核的中和较小，故有效电荷高些。 第7章 晶体结构 §7.3 离子极化 离子的变形性 负离子变形性大的标志 高负电荷 大半径 构型：18，18+2 9-178 离子可被极化的程度；通常考虑负离子的变形性。 2. 离子的变形性 第7章 晶体结构 §7.3 离子 极化 r 大则变形性大，故阴离子的变形性显得主要。阳离子中只有 r 相当大的如Hg2+，Pb2+ ，Ag+ 等才考虑其变形性。 电荷数的代数值越大，变形性越小。如： Si4+ Al3+ Mg2+ Na+ ( Ne ) F－ O2－ 电子构型：外层（次外层