大学薄膜物理 蒸发源的特性及膜厚分布.pptVIP

第二节 蒸发源的蒸发特性及膜厚分布 姓名：邬红 班级：14级材料1班 本节知识点概括： 1. 掌握点蒸发源、小平面蒸发源、细长平面蒸发源的原理和膜厚。 2. 了解环状蒸发源和球面基板上的膜厚分布。 3. 了解实际蒸发源的发射特性。 4. 了解蒸发源与基板的相对位置配置。 在真空蒸发镀膜过程中，能否在基板上获得均匀膜厚，是制膜的关键问题。 基板上不同蒸发位置的膜厚，取决于蒸发源的蒸发(或发射)特性、基板与蒸发源的几何形状、相对位置以及蒸发物质的蒸发量。 镀膜过程中对于膜厚的分布如何，也是人们十分关心的问题。 (1)蒸发原子或分子与残余气体分子间不发生碰撞； (2)在蒸发源附近的蒸发原子或分子之间也不发生碰撞； (3)蒸发淀积到基板上的原子不发生再蒸发现象，即第一次碰撞就凝结于基板表面上。 为了对膜厚进行理论计算，找出其分布规律，首先对蒸发过程作如下几点假设： 上述假设的实质就是设每一个蒸发原子或分子，在入射到基板表面上的过程中均不发生任何碰撞，而且到达基板后又全部凝结。 显然，这必然与实际的蒸发过程有所出入。但是，这些假设对于在10-3Pa或更低的压强下所进行的蒸发过程来说，它与实际情形是非常接近的。因此，可以说目前通常的蒸发装置一般都能满足上述条件。 蒸发源的种类繁多，下面分别介绍几种最常用的蒸发源。 一、点蒸发源 通常将能够从各个方向蒸发等量材料的微小球状蒸发源称为点蒸发源(简称点源)。 一个很小的球dS，以每秒m克的相同蒸发速率向各个方向蒸发，则在单位时间内，在任何方向上．通过如图2-4所示立体角dω的蒸发材料总量为dm，则有: 因此，在蒸发材料到达与蒸发方向成θ角的小面积dS2的几何尺寸已知时，则淀积在此面积上的膜材厚度与数量即可求得。由图可知 则有 式中，r是点源与基板上被观测点的距离。 所以，蒸发材料到达dS2上的蒸发速率dm可写成 假设蒸发膜的密度为ρ；单位时间内淀积在dS2上的膜厚为t，则淀积到dS2上的薄膜体积为tdS2，则 将此值代入式(2-23)，则可得基板上任意一点的膜厚 经整理后得 当dS2在点源的正上方，即θ＝0时，cosθ=1，用t0表示原点处的膜厚，即有 显然，t0是在基板平面内所能得到的最大膜厚。则在基板架平面内膜厚分布状况可用下式表示 二、小平面蒸发源 用小型平面蒸发源代源。由于这种蒸发源的发射特性具有方向性，使在θ角方向蒸发的材料质量和cosθ成正比例，即遵从所谓余弦角度分布规律。θ是平面蒸发源法线与接收平面dS2中心和平面源中心连线之间的夹角。则膜材从小型平面dS上以每秒m克的速率进行蒸发时，膜材在单位时间内通过与该小平面的法线成θ角度方向的立体角dω的蒸发量dm为 式中，1／π是因为小平面源的蒸发范围局限在半球形空间。 如果蒸发材料到达与蒸发方向成θ角的小平面dS2几何面积已知，则淀积在该小平面薄膜的蒸发速率即可求得