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积分变换法
积分变换在数学物理方程中也有广泛的用途,变换后,
方程得以化简,偏微分方程变成常微分方程,求解常微
方程后,再进行逆变换就得到原来偏微分方程的解,
同时,积分变换还可能得到有限形式的解,分离变数
法或者傅里叶级数发往往不能。
本章主要介绍傅里叶变换法在求解偏微分方程中的应用。
傅里叶变换
(1)导数定理
(2)积分定理
(3)相似性定理
(4)延迟性定理
(5)位移性定理
(6)卷积性定理
第一节 傅里叶变换法
用分离变数法求解有界空间的定解问题时,得到的本征值是
例1
求解无限长弦的自由振动
解:
应用傅里叶变换,即用
同乘方程和定解条件
中的各项,并对空间变量x积分,t看做参数,则
分,对于无界空间的定解问题,适用于傅里叶变换法求解。
连续的,所求的解可表示为对连续本征值求积分的傅里叶积
无界空间,分离变数法求解定解问题时,所得到的本征值是
离散的,所求的解可表为对本征值求和的傅里叶级数,对于
定解问题变换成:
其中
分别是
的傅里叶变换,这样原来
的定解问题变成了常微分方程及初值条件,通解为:
代入初始条件可得:
故
对U作逆傅里叶变换,可得最后的结果如下:
达朗贝尔公式
例2
求解无限长细杆的热传导问题
解:
作傅里叶变换,定解问题变为:
此常微分方程的初始问题的解为
进行傅里叶逆变换可得:
交换积分次序
积分公式:
例3
求解无限长细杆的有源热传导问题
解:
作傅里叶变换,定解问题变为非齐次常微分方程:
令
利用上述公式可得
用
同乘方程各项,可得:
对t积分一次,并考虑零初始值可得:
进行傅里叶逆变换
交换积分次序可得:
是单位面积硅片
表层原有杂质总量.
并利用积分公式可得最后的结果为:
例4
限定源扩散
在半导体扩散工艺中,杂质扩散深度远远小于硅片厚度,可
硅片,这里求解的是半无界空间x0中的定解问题:
有的杂质向硅片内扩散,但不让新的杂质穿过硅片表面进入
以把硅片看成无限厚,在限定源扩散中,是只让硅片表层已
解:
没有杂质穿过硅片表面,即:
第二类齐次边界条件
这种边界条件意味着偶延拓,即求解以下定解问题
则
引用例2结果可得
高斯函数
右图描述了杂质浓度u(x,t)在硅片中
即说明杂质总量不变,曲线跟纵轴相交处的切线都是水平的,
例5
恒定表面浓度扩散
在恒定表面浓度扩散中,包围硅片气体
中含有大量的杂质原子,源源不断穿过硅片表面向内部扩散,由
即硅片表面的浓度梯度为零,表明没有新的杂质进入硅片.
度趋于均匀,曲线下的面积为
2,3依次对应越来越晚的时刻,杂质浓
的分布情况,曲线1对应于较早的时刻
是半无界空间x0中的定解问题
于杂质分子充足,硅片表面杂质浓度保持某个常数N0,这里所求
解
首先把非齐次边界条件化为齐次边界条件,令
则化为关于w的定解问题:
这是第一类齐次边界条件,意味着奇延拓,即
引用例2结果可得
第一个积分中令
第二个积分中令
则有
被积函数是偶函数,故
误差函数
记做erfx,则w可写为:
所求的解如下:
余误差函数
记做erfcx,则有
右图描述了杂质浓度u(x,t)在硅片中
例6
泊松公式
求解三维无界空间中的波动问题
明显,如果扩散持续进行下去,则浓度分布最终将为常数N0(虚线)
的时刻,杂质浓度趋于均匀的趋势很
刻,2对应于较晚的时刻,3对应于更晚
分布情况,曲线1对应于某个较早的时
解
做傅里叶变换,问题变换为常微分方程的初始值问题
这个方程的解为
再进行傅里叶逆变换
利用5.3例1的结果
应用延迟定理
出现
对
的积分只要在球面
上进行
以r为球心(矢径r),半径为at
为球面 的面积元,此即泊松公式.
三维无界空间中的波动,只要知道初始状况,就可以用泊松公式
然后拿初始扰动
按泊松公式在球面 上积分
,波动以速度a传播,只有跟点r
相距at的那些点的初始扰动恰好在时刻t传到r
初始扰动只限于区域T0,如图,取一定点r,与T0
跟
T0不相交,按泊松公式u(r,t)=0,表示扰动的前锋
没有到达r,当d/atD/a, 跟T0 相交,
球心,以at为半径作球面
求以后任一时刻的状况,具体说,为求时刻t在r的u(r,t),应以r为
扰动已经过去.
最小距离为d,最大距离为D,当td/a,
例7
推迟势
求解三维无界空间中的受迫振动
解
做傅里叶变换,变为非齐次常微分方程的初始值问题
此问题的解为(第六章习题7答案)
进行傅里叶逆变换可得
应用脉冲函数性质和关系式
由于
积分只要在条件
下进行即可
对
的积分只需要在球体
进行,球心的矢径为r,半径at
引用§5.3例1的结果,并应用延迟定理可得
f的宗量t换成了
扰动以速度a传播,从点
出发的扰动,如果在时刻t对点r产生
影响,必然是时刻
出发.
其中
推迟势
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