17晶体管放大电路解析.ppt

* uCE UCES ，集电极电位较低，收集电子的能力较差，所以，IC近似正比于UCE 当uCE UCES 时， 能过来的电子都过来了。所以IC近似于常量，这常量取决于集电极的电子数的多少。 UCES为饱和电压 * ICEO穿透电流：基极开路时，集电结处于反向偏置，发射结处于正向偏置的情况下，集电结与发射结间的反向漏电流。 * ICS=UCC/RC =1.2mA ， IB=10/200=0.05mA ， ?IB=5mA ，IC=1.2mA。 饱和状态 * END * * 为使射极电位为0，增加负电源UCC * 当温度升高时，两个晶体管射极电流同时增大，流过射极电阻RE的电流增加，射极电位升高，使两管发射结压降同时减小，基极电流也都减小，从而阻止了两管集电极电流随温度升高而增大。稳定了两个单管工作点，使它们的输出电压漂移减小，即减小了差动放大器的零点漂移。由于零点漂移等效于共模输入，所以，RE对于共模信号必然有很强的抑制能力。RE越大，对零点漂移和共模信号的抑制作用越显著。但RE越大，产生的直流压降就越大，为就维持正常工作电流就需很高的负电源。如维持1mA的射极电流所需UEE=200V，显然是不可取的。用恒流源代替电阻RE可以很好地解决这个矛盾。 第17章 晶体管放大电路 器件篇 §1 主要晶体三极管器件 §2 晶体管的外部特性及其电路模型 §3 晶体管放大电路的构成 §4 晶体管放大电路 §6 场效应晶体管放大电路 §7 多级放大 §8 差分放大电路 §5 晶体管放大电路的频率特性 §1 主要晶体三极管器件 半导体材料 与外电路有三个端子相接 类型 双极型晶体管 单极型晶体管 材料 硅 锗 (NPN、PNP) (N沟道、P沟道) ? ? 习惯称晶体管、三极管 习惯称场效应管、MOS 管 §2 晶体管的外部特性及其电路模型 一、组态 ——三个引出端的接法 输入 输出 以发射极E为公共端 ——共射极 工业常用这种接法 高频电路、宽频带放大器 以基极B为公共端 ---共基极 主要讨论共射极的情况。 以集电极C为公共端 ---共集电极 二、输入特性及输入侧电路模型 1 输入特性 0 uBE / V iB / ?A UT iB ~ uBE UCE≥1V 1) 死区电压UT Q(静态工作点) UBEQ 3) UBEQ=0.7V（硅）uBE维持不变 2) iB：uBEUT 单位：?A 基极、发射极间电压uBE和基极电流iB的关系 0.5V(硅) 0.2V(锗) 2 输入侧电路模型 ? ?uBE ?uBE? ?iB 令 ube=?uBE， ib=?iB， 输入侧电路模型 (?uBE? ?uBE? ) 三、输出特性及输出侧电路模型 1 输出特性 iC ~ uCE UCES uCE /V iC /mA 0 iB =0 iB =IB1 iB = IB2 iB = IB3 iB = IB4 iB = IB5 IB5IB4 IB3 IB2 IB1 UCES 较小，硅 0.3V 锗 0.1V 2 输出侧电路模型 (1) iB=0 iC?0 (2) iB0 ，晶体管截止状态 ，电路模型为断路 晶体管截止 iC0 且 uCE≤ UCES uCE? UCC一定 uCE ?0 ，晶体管饱和状态 ，电路模型为短路 (3) iB 0 且 uCE UCES ?uCE ICCS DiC rce?? uCE iC/mA IBQ 晶体管放大状态的输出侧电路模型 uB UT uCE UCES iC =b iB iB iC 四、晶体管放大状态的电路模型 晶体管放大状态下的电路模型 晶体管静态模型( ib = 0) 晶体管动态模型( UBEQ = 0 , IBQ = 0) uBEUT uCE UCES 小结： 晶体管外接电路的结构和参数决定着晶体管的工作状态 uBE ? UT IC?0 截止 uBE UT uCEUCES 饱和 uBE UT uCEUCES 放大 开关状态 数字电路 模拟电路 UBB 0.7V，T脱离截止状态 设临界饱和 IC （放大） () RB 放大状态时，IC=?IB，电流控制器件 晶体管是一种实际器件，工作电压、电流均受到限制 动态参数与Q有关 截止 uBE反向电压 放大 iC ICS，uCE最高反向电压 五、晶体管放大电路静态分析方法 1 估算法 设UBE=0.7V （硅管） 据输入回路列KVL IBRB+UBE=UBB IB 求出 放大状态 IC=?IB 据输出回路列