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垂直腔面发射激光器 目录 垂直腔面发射激光器的定义 垂直腔面发射激光器 英文名称：vertical cavity surface emitting laser，简称VCSEL 它是一种从垂直于衬底面射出激光的半导体激光器 一般应用于材料科学技术、半导体材料、半导体微结构材料及器件 垂直腔面发射激光器的结构 组成：该结构由镜面 、 有源层和金属接触层组成。2个发射镜分别为 n 型和 p 型 DBR 堆的布喇格发射器。有源区由 1～3 个量子阱组成。有源区的两侧是限制层，一方面起限制载流子的作用，另一方面调节谐振腔的长度，使其谐振波长正好是所需要的激光波长。在衬底和 p 型 DBR 的外表面制作金属接触层，形成欧姆接触，并在 p 型 DBR上制成一个圆形出光窗口，输出圆形的激光束。 垂直腔面发射激光器的结构 a）所示的激光器采用45°倾斜反射镜结构 ,其反射特性完全依赖于内部反射镜的倾角和平整度，工艺制作困难，且存在光束畸变问题； b）采用高阶耦合光栅结构，尽管可以获得发散角小的窄细光束，但其反射光的大部分进入了衬底，使效率大幅降低 ,而且激光束的发散角度随波长变化而变化； c）为有源区直径及腔长仅为微米量级的 微腔结构，容易实现低阈值 ( I t h)，具有较高的微分量子效率；所以 ( c) 是垂直腔面发射激光器中最理想的结构。 垂直腔面发射激光器的结构 其衬底的选择有以下3种： 硅衬底：将 AlAs/GaAs DFB直接生长在 Si 上，由于其界面不平整，使DFB的反射率较低，所以在硅（Si）上制作的VCSEL还不曾实现室温连续波工作。 蓝宝石衬底：美国南方加利福利亚大学的光子技术中心为使VCSEL发射的850nm波长光穿过衬底，采用晶片键合工艺将VCSEL结构从吸收光的 GaAs衬底移开，转移到透明的蓝宝石衬底上，提高了wall-plug效率，最大值达到 25%。 砷化钾衬底：基于砷化钾（GaAs）基材料系统的VCSEL 由于高的 Q 值而备受研究者青睐，目前VCSEL采用最多也是生长在GaAs衬底上。 垂直腔面发射激光器的工作原理 VCSEL与其它激光器发光原理一样，只要满足以下两个条件就可以实现激光激发。 粒子数反转过程：在有源区内存在粒子数反转，使激光煤质提供的增益足够超过损耗的情况下，当有电流注入时，光强将持续增加，处于高能态导带底的电子跃迁到处于低能态价带时，随着特定波长的光在有源区上下两个反射镜面来回反射，放大过程不断重复，便形成了激光。 谐振腔：由两个反射镜和增益介质组成的,是产生激光的主要条件之一。谐振腔在VCSEL中的主要作用是给在有源区内产生的光，在上下两个布拉格反射镜来回反射时，形成多次光能反馈提供的一个空腔，使受激辖射在其中得到多次反馈而形成激光振荡。 制作过程 VCSEL的各个半导体层是采用分子束外延(MBE) 或金属有机化学汽相沉积(MOCVD)方法在GaAs衬 底上外延生长而形成的，大约需100多层，而每层的 厚度只有几纳米。在晶体生长中每层的厚度必须得 到很好的控制，因为它对激射波长和最终的成品率 都有重要的影响；在外延过程中要确保整个外延层 的均匀性。目前国内在外延生长方面，尤其在生长 高反射率的分布布喇格反射器(DBR)方面和国外还 有一定的差距。 制作过程 VCSEL的横向结构通常用刻蚀法形成台面结构， 或用质子注入法及特殊氧化法等。这些方法均有各 自的优缺点。刻蚀法可分为湿法化学刻蚀和干法刻 蚀两种。近年来，为降低阈值电流和提高效率 ，优 先选用氧化AlAs层的方法。这种方法是在420 ℃的 高温下，用氮气携带 80 ℃的水蒸气对AlAs层中的 铝进行氧化，形成AlxOy绝缘层，对载流子进一步 限制。 垂直腔面发射激光器的优点 应用 VCSEL具有高密度 、高传输率 、高并行光输出及方便地进行二维空间组合的特点，成为理想的集成光电子有源器件和空间光学及光计算机并行处理的关键器件 。 VCSEL的高速响应特别适于计算机中的芯片光互连和自由空间光互连。 VCSEL极易实现高密度的平面阵列集成，可用于图像处理与模式识别，还可用于光神经网络计算技术和多值逻辑等新型电路 。 VCSEL的谐振腔非常小，因此可做成高速率的光开关。控制二维列阵中各VCSEL的位相可以控制输出光的相干性。通过对各个 VCSEL激射光的锁模效应，可以获得方向性很强的大功率激光输出。 VCSEL还是各种固体激光器的理想泵浦光源，它适宜与光纤实现高效率耦合，满足高密度光盘的读写光源的要求。 Company Logo * LOGO 定义 1 结构与工作原理 2 制作工艺 3 优点 4 应用 5 根据其有源层的不同，可分为三种结构：45° 镜面型、光栅耦合型、垂直腔型。 与传统的边发射激光器相比