学生卷-二林工商.doc

PAGE PAGE 3 國立二林工商　電子電路科試卷　單元：第一章：電子電路元件 老師： 班級： 姓名：　　　　座號： 一. 單選題 (每題 ０ 分) 1、( A ) 下列有關電晶體之描述何者錯誤？ (Ａ)BJT之構造是對稱的，因此射極與集極可對調使用 (Ｂ)FET的優點之一為其（低頻）輸入阻抗甚高 (Ｃ)若BJT的基極與射極之接面為順向偏壓，基極與集極之接面亦為順向偏壓，則該BJT工作在飽和區 (Ｄ)為使BJT具有線性放大作用，必須偏壓在作用區(active region) 2、( C ) 目前使用中的大型積體電路(LSI)，以互補金氧半(CMOS)場效電晶體最佳，其主要是因為 (Ａ)製造容易，價格低廉 (Ｂ)對雜訊免除性佳 (Ｃ)其消耗功率極小 (Ｄ)其交換速率快 3、( C ) 電晶體的共基極(CB)、共射極(CE)、共集極(CC)三種組態中，下列何者敘述錯誤？ (Ａ)CB的電流增益最低 (Ｂ)CC的電壓增益最低 (Ｃ)CC的輸入阻抗最低 (Ｄ)CE的功率增益最大 4、( B ) 如圖所示，此電路在V1 = +VDD時，下列敘述何者錯誤？ (Ａ)Vo = 0 V (Ｂ)Q1導通 (Ｃ)Q2導通 (Ｄ)Q1截止  5、( B ) CS9014為 (Ａ)PNP電晶體 (Ｂ)NPN電晶體 (Ｃ)FET (Ｄ)SCR 6、( C ) 下列對CMOS的敘述何者為錯誤？ (Ａ)CMOS的工作電壓約為3～15 V (Ｂ)CMOS的扇出數很高 (Ｃ)CMOS NOR閘，部分不用的輸入端最好接到VDD端，以確保電路正常工作 (Ｄ)CMOS 的傳輸延遲時間比 TTL 長 7、( B ) 如圖所示，741 IC外接VR的目的在於調整 (Ａ)轉動率 (Ｂ)輸入偏移電壓(input offset voltage) (Ｃ)電壓增益 (Ｄ)輸入阻抗  8、( D ) 理想運算放大器之頻寬為 (Ａ)0 (Ｂ)100 kHz (Ｃ)10 MHz (Ｄ)∞ 9、( D ) 所謂理想二極體，下列敘述何者錯誤？ (Ａ)順向時視為短路，逆向時視為開路 (Ｂ)順向時電阻為零，逆向時電阻無限大 (Ｃ)無順向壓降，無逆向電流 (Ｄ)順向壓降為零，逆向電流無窮大 10、( D ) 下列敘述何者不正確？ (Ａ)BJT電晶體為雙極性(bipolar)電晶體 (Ｂ)MOSFET為單極性(unipolar)電晶體 (Ｃ)一般BJT電晶體的輸入阻抗比MOSFET的輸入阻抗小 (Ｄ)MOSFET為一種電流控制元件 11、( A ) TO-3包裝之功率電晶體，其外殼為 (Ａ)集極 (Ｂ)射極 (Ｃ)基底 (substrate) (Ｄ)基極 12、( C ) 下列敘述何者有誤？ (Ａ)FET為電壓控制，BJT為電流控制 (Ｂ)FET為單極性，BJT為雙極性 (Ｃ)FET輸入阻抗低，BJT輸入阻抗高 (Ｄ)當作開關時，FET無偏移(offset)電壓，BJT則有0.2 V 13、( D ) 編號741極小雙排並列包裝(8 pin)的運算放大器IC，其輸出端在實際腳座的 (Ａ)第2腳 (Ｂ)第3腳 (Ｃ)第5腳 (Ｄ)第6腳 14、( C ) 一般矽質PN二極體導通時，兩端的電位差約為 (Ａ)1.2 V (Ｂ)0.9 V (Ｃ)0.6 V (Ｄ)0.2 V 15、( B ) 運算放大器的輸入端通常是 (Ａ)二極體 (Ｂ)差動放大器 (Ｃ)達靈頓電路 (Ｄ)TRIAC 16、( C ) 如圖的電路中的Q1，由電路符號可知為 (Ａ)NPN雙極性電晶體 (Ｂ)PNP雙極性電晶體 (Ｃ)P通道MOSFET (Ｄ)N通道MOSFET  17、( B ) 下列何者是雙極性？ (Ａ)CMOS (Ｂ)TTL (Ｃ)PMOS (Ｄ)NMOS 18、( B ) 小信號電晶體放大電路應工作於特性曲線的 (Ａ)飽和區 (Ｂ)動作區 (Ｃ)截止區 (Ｄ)崩潰區 19、( D ) 有關於理想運算放大器的功能，下列何者不正確？ (Ａ)輸入阻抗無窮大 (Ｂ)電壓增益無窮大 (Ｃ)頻帶寬度無限大 (Ｄ)輸出阻抗無限大 20、( A ) 要使 N 通道增強型MOSFET導通，其閘極應加 (Ａ)正電壓 (Ｂ)負電壓 (Ｃ)正、負電壓均可 (Ｄ)零 21、( C ) 一般互補金氧半(CMOS)邏輯閘積體電路的工作電源約在 (Ａ)2～10 V (Ｂ)4.75～5.25 V (Ｃ)3～15 V (Ｄ)4.75～24 V 22、( C ) CMOS邏輯電路的特點是 (Ａ)交換速率比TTL還快 (Ｂ)製作容易，價格低廉 (Ｃ)其消耗功率極小 (Ｄ)其雜訊免除性在所有的邏輯閘中最佳 23、( C ) 小信號操作的主要目標為 (Ａ)功率放大 (Ｂ)穩定性佳 (Ｃ)