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TFT-LCD阵列工艺介绍;主要内容; 一、TFT-LCD的基本构造;图2 液晶盒的构造;二、ARRAY工艺介绍;2.1 阵列基板的构造和功能;;2.1 阵列基板的构造和功能;图6 TFT器件的基本构造;当Vg≤Vth时
Ids=0
当VgVth且VdsVg-Vth时
Ids=(W/L)?μC0{(Vg-Vth)Vds-Vds2/2}
当VgVth且VdsVg-Vth时
Ids=(W/L)?μC0(Vg-Vth)2/2
式中，Vth:阈值电压
μ：电子迁移率
C0: 单位面积栅绝缘层电容; 2.2 阵列基板的制造原理 ;工艺名称;图8 初始放电和自续放电示意图;PCVD原理;PR?曝光原理;曝光原理;湿刻原理;反应气体在高频电场作用下发生等离子体（PLASMA）放电。
等离子体与基板发生作用将没有被光刻胶掩蔽的薄膜刻蚀掉。;;4mask;三、阵列检查介绍;工程;?装置原理;Macro検査
移动Array基板、改变照明方式、从不同的角度目視検査基板。;3.2 尺寸测定;3.3 PR形状测定;3.4 自动外观;D 检Flow ;;①画像取得;3.5 ELP测定;检测原理：
光线经过透明薄膜表面进行反射时，由于光线在薄膜上下表面均产生反射，因此反射光产生光程差Δ（图1所示）。当入射光为线偏光时，反射光为椭偏光。根据光线反射前后偏振状态的改变，可以测量薄膜的光学参数和膜厚，这种方法叫做Ellipsometry法（椭圆偏光解析法）。;工程;Gate Etching
剥离完了;;;目的：测量ＴＦＴ像素特性的測定装置;
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