半导体存储器-公开课件.pptVIP

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2019-06-01 发布于广西
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半导体存储器-公开课件.ppt

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第 * 页数字电子技术第 7 章半导体存储器填空题 10、PAL由的与门阵列和的或门阵列构成。参考答案可编程可编程分析提示 PLA的与逻辑阵列实现产生以某些地址为变量的与项，可编程；或逻辑阵列实现将某些与项相或，可编程。数字电子技术习题练习第 * 页数字电子技术自测练习第 7 章半导体存储器单项选择题填空题第 * 页数字电子技术第 7 章半导体存储器单项选择题 1、可由用户以专用设备将信息写入，写入后还可以用专门方法（如紫外线照射）将原来内容擦除后再写入新内容的只读存储器称为( ) 。 MROM A × PROM B × EPROM C √ EEPROM D × 分析提示 MROM ：掩膜ROM，完全只读存储器。 PROM：可编程只读存储器，但只能一次编程。 EPROM ：用紫外线照射擦除的可擦除可编程只读存储器。 EEPROM：用电信擦除的可擦除可编程只读存储器。第 * 页数字电子技术第 7 章半导体存储器单项选择题 2、下列存储器中，存储的信息在断电后将消失，属于“易失性”存储器件的是 ( ) 。半导体ROM A × 半导体RAM B √ 磁盘存储器 C × 光盘存储器 D × 分析提示半导体RAM分为静态 RAM (SRAM )和动态RAM (DRAM )。静态 RAM (SRAM )，以寄存器为存储元件，只有在带电状态下才能存储信息。动态RAM (DRAM )，利用MOS管的栅极电容对电荷的存储效应存储信息，电荷不能长期存储。半导体RAM属于“易失性”存储器。第 * 页数字电子技术第 7 章半导体存储器单项选择题 3、动态RAM的基本存储电路，是利用MOS管栅—源极之间电容对电荷的暂存效应来实现信息存储的。为避免所存信息的丢失，必须定时给电容补充电荷，这一操作称为 ( ) 。刷新 A √ 存储 B × 充电 C × 放电 D × 分析提示动态RAM (DRAM )中，MOS管的栅极电容的容量很小而漏电流不绝对为零，电荷保存的时间有限，需定时对栅极电容补充电荷，以避免所存储的信息丢失。这一操作称为刷新。第 * 页数字电子技术第 7 章半导体存储器单项选择题 4、有 10 位地址和 8 位字长的存储器，其存储容量为 ( ) 。 256×10 位 A × 512×8 位 B × 1024×10 位 C × 1024×8 位 D √ 分析提示 10 位地址所对应存储字数为： 210=1024 每个字的字长为： 8 位存储容量 = 字数×字长 =1024 × 8 位第 * 页数字电子技术第 7 章半导体存储器单项选择题 5、某ROM有 11 条地址线和 8 条数据线，其存储容量为 ( ) 。 2048×8位 A × 112 ×8位 B × 11×8位 C × 204