智能电力设备试验方法研究.ppt

智能电子单元(IED)的试验 No. 试验项目 试验内容和试验要求 备注 1 低温试验 GB/T 2423.1低温下，装置处于通电状态，达到试验温度后再稳定2小时后在试验箱内测试，测量精度在允许范围以内，动作值变差不超过±5%，时间变差不大于10ms 。 2 高温试验 GB/T 2423.2 高温下，装置处于通电状态，达到试验温度后再稳定2小时后在试验箱内测试，测量精度在允许范围以内，动作值变差不超过±5%，时间变差不大于10ms 。 3 交变湿热试验 GB/T 2423.4 高温和低温下，相对湿度95%，试验周期24h周期(12h+12h)的两个循环后，介质强度试验值为规定电压值的75%、历时1min，允许漏电流10mA，绝缘电阻大于1.5MΩ 。 智能电子单元的环境试验 智能设备的试验研究 智能电子单元(IED)的试验 No. 试验项目 试验内容和试验要求 备注 1 振动试验 GB/T 11287中3.2.1规定的严酷等级为1级的振动响应； GB/T 11287中3.2.2规定的严酷等级为1级的振动耐久。 对于所有的智能单元（IED）进行。该试验可以仅对智能单元进行。 2 冲击试验 GB/T 14537中4.2.1规定的严酷等级为1级的冲击响应；GB/T 14537中4.2.2规定的严酷等级为1级的冲击耐久 3 碰撞试验 GB/T 14537中4.3规定的严酷等级为Ⅰ级 智能电子单元的机械试验 智能设备的试验研究 智能电子单元(IED)的试验 No. 试验项目 试验内容和试验要求 备注 1 电磁发射 GB/T 14598.16外壳辐射发射、辅助电源端口传导发射 2 辐射电磁场干扰试验 GB/T 14598.9中4.1.1规定的严酷等级为Ⅲ级 3 静电放电试验 GB/T 14598.14中4.2规定的严酷等级为Ⅳ级 4 快速瞬变干扰试验 GB/T 14598.10中4.1规定的严酷等级为Ⅳ级 5 浪涌试验 GB/T 17626.5中4.1.1规定的严酷等级为Ⅳ级 6 射频传导干扰试验 GB/T 17626.6中3.1.1规定的严酷等级为Ⅲ级 7 工频磁场抗扰度试验 GB/T 17626.8外壳端口5级；稳定持续100A/m；1s～3s短时1000A/m 8 脉冲磁场试验 GB/T 17626.9外壳端口5级；6.4/16μs、1000A/m 9 阻尼振荡磁场试验 GB/T 17626.10外壳端口5级；6.4/16μs、100A/m 智能电子单元的EMC试验 智能设备的试验研究 智能电子单元(IED)的试验 No. 试验项目 试验内容和试验要求 备注 10 振荡波抗扰度试验 GB/T 17626.12电源、I/O端口4级：振铃波共模1MHz 2.0kV、差模1MHz 1.0kV，阻尼振荡波共模1MHz 2.5kV、差模1MHz 1.0kV 11 工频抗扰度试验 GB/T 17626.8中4.1规定的严酷等级为Ⅴ级 12 直流电源中的纹波 GB/T 17626.17纹波小于12%，100Hz 13 电压暂降、短时中断和电压变化抗扰度试验 GB/T 17626.11暂降60%、持续100ms，短时中断降幅100%、持续20ms，电压变化100±20% 智能电子单元的EMC试验 智能设备的试验研究 智能电子单元(IED)的试验 No. 试验项目 试验内容和试验要求 备注 1 绝缘电阻 GB/T 14598.3用500V兆欧表下述端口之间绝缘电阻不小于100 MΩ：所有端口对地之间、电源及开入开出回路对交流电压电流回路之间、电源及开入回路对开出回路之间 对于所有的智能单元（IED）进行 2 绝缘耐压 GB/T 14598.3在下述端口之间加2kV交流或2.8kV直流1分钟，泄漏电流小于10mA：所有端口对地之间、电源及开入开出回路对交流电压电流回路之间、电源及开入回路对开出回路之间，无击穿和闪络 3 冲击电压 GB/T 14598.3在下述端口之间加前沿时间为1.2 μs±30%、至半峰时间为50 μs±20%的短时冲击电压5kV：所有端口对地之间、电源及开入开出回路对交流电压电流回路之间、电源及开入回路对开出回路之间，无击穿和闪络 智能电子单元的绝缘试验试验 智能设备的试验研究 完整的智能开关设备 绝缘试验 额定短时耐受和峰值耐受电流试验 机械寿命与温升试验（包括密封试验） 短路关合和开断试验 额定短时耐受和峰值耐受电流试验 容性电流开合试验 隔离开关和接地开关关合和开断试验 智能开关设备本体的型式试验 智能开关设备型式试验项目 智能设备试验的必要性 智能电子装置 电磁