电子封装专用设备 第2章 半导体芯片制造工艺与设备.docVIP

PAGE 1 目录 TOC \o 1-3 \h \z \u 第2章 半导体芯片制造工艺与设备 1 2.1 概述 1 2.2薄膜生成工艺 5 2.2.1薄膜生成方法 5 2.2.2氧化工艺 6 2.2.3淀积工艺 7 2.3图形转移工艺 10 2.3.1 图形化工艺方法 10 2.3.2光刻工艺 11 2.3.3 刻蚀工艺 16 2.4参杂工艺 17 2.4.1扩散 17 2.4.2离子注入 18 2.5其他辅助工艺 19 2.5.1热处理工艺 19 2.5.2清洗工艺 21 2.5.3 CMP 22 2.6 半导体芯片制造工艺设备 23 2.6.1半导体芯片制造工艺设备分类 23 2.6.2 半导体制造的关键设备 错误！未定义书签。 TOC \o 1-3 \h \z \u 第2章 半导体芯片制造工艺与设备 2.1 概述 1. 固态半导体芯片的制造过程 半导体芯片的种类及结构形式有多种多样，但是制造过程基本相同。以固态半导体芯片的制造过程为例，固态半导体器件制造大致经历5个阶段：材料准备、晶体生长和晶圆准备、晶圆制造和分选、封装、终测。 这五个阶段是独立的，分别作为半导体芯片制造的工艺过程，一般由不同的企业独立完成。 （1）材料准备 材料准备是指半导体材料的开采并根据半导体标准进行提纯。硅以沙子为原料，沙子通过转化可成为具有多晶硅结构的纯净硅。 （2）晶体生长和晶圆准备 在固态半导体器件制造的第二个阶段，材料首先形成带有特殊的电子和结构参数的晶体。之后，在晶体生长和晶圆准备工艺中，晶体被切割成被称为硅片（通常也被称为晶圆）的薄片，并进行表面处理。如图2.1所示，第二阶段工艺过程分为十个步骤：单晶生长、生成单晶硅锭、单晶硅锭去头和径向研磨、定位边研磨、硅片切割、倒角、粘片、硅片刻蚀、抛光、硅片检查。 图2.1 晶体生长和晶圆准备 晶体生长和晶圆准备设备包括单晶硅制造设备、圆片整形加工研磨设备、切片设备、取片设备、磨片倒角设备、刻蚀设备、抛光设备、清洗和各种检验设备等，最后是包装设备。 （3）晶圆制造 第三个阶段是晶圆制造，也叫集成电路的制造或芯片制造，也就是在硅片表面上形成器件或集成电路。在每个晶圆上可以形成数以千计的同样器件。在晶圆上由分立器件或集成电路占据的区域称为芯片。在封装之前还需要对晶圆上的每个芯片做测试，对失效芯片做出标记。 （4）封装、测试 后面两个阶段是封装和测试。封装是通过一系列的过程把晶圆上的芯片分割开，然后将它们封装起来。最后对每个封装好的芯片做测试，并剔除不良品，或分成等级。 从载有集成电路的晶圆到封装好的芯片，这一过程通常称为集成电路的后道制造，需要经过的工序大致包括：晶圆测试，晶圆减薄和划片，贴片与键合，芯片封装，成品芯片测试等工艺过程。半导体芯片的封装、测试工艺过程及设备使用将在本书第3章做详细介绍。 2.晶圆制造工艺过程 半导体芯片制造即晶圆制造是一个非常复杂的过程。在半导体制造工艺中COMS技术具有代表性，我们以COMS工艺为例说明半导体制造的基本流程。图2.2为COMS工艺流程中的主要制造步骤，基本工艺过程包括硅片氧化工艺、在氧化硅表面涂敷光刻胶、使用紫外光曝光、曝光后显影露出氧化硅表面、刻蚀氧化硅表面、去除未曝光的光刻胶、形成栅氧化硅、多晶硅淀积、多晶硅光刻及刻蚀、离子注入、形成有源区、氮化硅淀积、接触刻蚀、金属淀积与刻蚀。 图2.2 COMS工艺流程中的主要制造步骤 大批量的芯片生产一般是在晶圆制造厂中集中加工制造的。如图2.3所示，硅片的制造分为6个独立的生产区域：扩散（包括氧化、淀积和掺杂工艺）、光刻、刻蚀、薄膜、离子注入和抛光。 图2.3 亚微米COMS IC制造厂典型的硅片流程模型 从图2.3我们可以看出半导体制造的主要工艺是在多次重复进行“形成薄膜”、“光刻”、“刻蚀”、“扩散”、“注入”和“抛光”等工艺，在重复进行的工艺之间穿插“清洗、热处理、工艺检测”等工艺。 （1）扩散 扩散一般认为是进行高温工艺及薄膜淀积的区域。扩散的主要设备是高温 扩散炉和湿法清洗设备。 （2）光刻 光刻的目的是将电路图形转移到覆盖于硅片表面的光刻胶上。光刻胶是一种光敏的化学物质，它通过深紫外线（或极紫外线）曝光来印制掩模板的图像。涂胶和显影设备是用来完成光刻的一系列工具的组合。光刻过程包括预处理、涂胶、甩胶、烘干，然后用机械臂将涂胶的硅片送入光刻机。以步进式光刻机为例，在进行硅片和掩模板的对准、聚焦后，步进式光刻机先曝光硅片上的一小片面积，随后步进到硅片的下一区域并重复这一过程。 （3）刻蚀 刻蚀是在没有光刻胶保护的地方留下永久的图形。刻蚀