电子技术原理基础第七章场效应管.ppt

P N N G S D UDS UGS UGS较小时，导电沟道相当于电阻将D-S连接起来，UGS越大此电阻越小。 P N N G S D UDS UGS 当UDS不太大时，导电沟道在两个N区间是均匀的。 当UDS较大时，靠近D区的导电沟道变窄。 P N N G S D UDS UGS UDS增加，UGD=VT时，靠近D端的沟道被夹断，称为予夹断。 夹断后ID呈恒流特性。 ID 4 3 2 1 0 5 10 15 UGS =5V 6V 4V 3V 2V ID /mA UDS =10V 增强型 MOS 管的特性曲线 0 1 2 3 饱和区 击穿区 可变电阻区 2 4 6 UGS / V UGs(th) 输出特性 转移特性 UDS / V ID /mA 可变电阻区：UGS不变，ID与UDS成正比，漏源之间相当于一个可变电阻。 4 3 2 1 0 5 10 15 UGS =5V 6V 4V 3V 2V ID /mA UDS =10V 增强型 NMOS 管的特性曲线 0 1 2 3 饱和区 击穿区 可变电阻区 2 4 6 UGS / V 3. 特性曲线 UGs(th) 输出特性 转移特性 UDS / V ID /mA 4 3 2 1 0 5 10 15 UGS =5V 6V 4V 3V 2V ID /mA UDS =10V 增强型 NMOS 管的特性曲线 0 1 2 3 饱和区 击穿区 可变电阻区 2 4 6 UGS / V 3. 特性曲线 UGs(th) 输出特性 转移特性 UDS / V ID /mA 击穿区：UDS过大，ID急剧增加。 4 3 2 1 0 5 10 15 UGS =5V 6V 4V 3V 2V ID /mA UDS =10V 增强型 NMOS 管的特性曲线 0 1 2 3 饱和区 击穿区 可变电阻区 2 4 6 UGS / V 3. 特性曲线 UGs(th) 输出特性 转移特性 UDS / V ID /mA 转移特性： ID=f（ UGS ）| u=常数 （3） N沟道增强型MOS管的特性曲线 转移特性曲线 0 ID UGS VT ?耗尽型N沟道MOS管的特性曲线 耗尽型的MOS管UGS=0时就有导电沟道，加反向电压才能夹断。 转移特性曲线 0 ID UGS VT 输出特性曲线 UGS=0V U DS （V） ID（mA） 0 1 3 2 4 UGS=+1V UGS=+2V UGS=-1V UGS=-2V 固定一个U DS，画出ID和UGS的关系曲线，称为转移特性曲线 综上分析可知 沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电， 所以场效应管也称为单极型三极管。 JFET是电压控制电流器件，iD受vGS控制 预夹断前iD与vDS呈近似线性关系；预夹断后， iD趋于饱和。 JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因 此iG?0，输入电阻很高。 7.2.4N沟道结型管与P沟道结型管比较 场效应管的主要参数 ① 夹断电压VP (或VGS(off))： ② 饱和漏极电流IDSS： ③ 低频跨导gm： 或 漏极电流约为零时的VGS值 。 VGS=0时对应的漏极电流。 低频跨导反映了vGS对iD的控制作用。gm可以在转移特性曲线上求得，单位是mS(毫西门子)。 ⑤ 直流输入电阻RGS： 对于结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω。 ⑧ 最大漏极功耗PDM ⑥ 最大漏源电压V(BR)DS ⑦ 最大栅源电压V(BR)GS ④ 输出电阻rd： 几种常用的场效应三极管的主要参数? * 第七章场效应管 1 概述 2 场效应管的工作原理 3 场效应管的检测 场效应管 7.1 概述 场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。 FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。 它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。 CEP35P03 ?CEB05N65 2N2102 IRF150 ?CEM8311 CED6426 场效应管与晶体管的优缺点 晶体三极管(BJT)的弱点： 1、 晶体管为电流控制器件，需要信号源提供一定的电流，因此输入电阻低。2、因为有少子参与导电，受温度、辐射等因素影响大，噪声大。 场效应管（FET）的优点1、场效应管为电压控制器件，基本不需要输入电流、 因此输入电阻高 (结构上能保证) 。2、场效应管只有多子参与导电、稳定性好，噪声低；3、场效应管比晶体管种