霍尔效应传感器变换基本原理.ppt

霍尔效应传感器变换原理 霍尔传感器是基于霍尔效应的一种传感器。1879年美国物理学家霍尔首先在金属材料中发现了霍尔效应, 但由于金属材料的霍尔效应太弱而没有得到应用。随着半导体技术的发展, 开始用半导体材料制成霍尔元件, 由于它的霍尔效应显著而得到应用和发展。 霍尔传感器广泛用于电磁测量、压力、加速度、振动等方面的测量。 一、 霍尔效应及霍尔元件 1. 霍尔效应 置于磁场中的静止载流导体, 当它的电流方向与磁场方向不一致时, 载流导体上平行于电流和磁场方向上的两个面之间产生电动势, 这种现象称霍尔效应。该电势称霍尔电势。 基本原理 任何带电质点在磁场中沿着和磁力线垂直的方向运动，都要受到磁场力fm 的作用（洛仑磁力），其值大小： Fm =e B v e——电子电荷;  v——电荷运动平均速度;  B——磁场的磁感应强度 方向—左手定则 1）P型半导体 d B + + + + + + + + + a i b - - - - - - - - - - - - - c P 型 (空穴) 空穴收力F的方向是向上的, 此时空穴除了沿电流方向作定向运动外, 还在F的作用下向上漂移, 结果使金属导电板上底面积累空穴, 而下底面积累负电荷, 从而形成了附加内电场EH, 称霍尔电场, 该电场强度为 EH=  式中UH为电位差,b为上、下 极板距离。霍尔电场的出现, 使定向运动的电子除了受洛仑磁力作用外, 还受到霍尔电场的作用力, 其大小为e EH，此力阻止电荷继续积累。 随着上、下底面积累电荷的增加, 霍尔电场增加, 电子受到的电场力也增加, 当电子所受洛仑磁力与霍尔电场作用力大小相等、 方向相反时, 即 （霍尔电场力） e EH = e v B（洛仑磁力） 则  EH= v B EH——霍尔电场强度； v——电荷运动平均速度； B——磁场的磁感应强度 3）N型半导体 在磁场和电流方向相同的情况下，所产生的霍尔电势与P型相反。 实验证明，霍尔电势UH的大小和控制电流i及磁感应强度B成正比。即： UH=k i B sinα k— 霍尔系数，取决于温度、材质和尺寸； α为电流和磁场方向的夹角 改变 i和B或两者都改变，霍尔电势发生变化。 二、 霍尔元件基本结构 霍尔元件由霍尔片、 引线和壳体组成。霍尔片是一块矩形半导体单晶薄片， 引出四个引线。1、1′两根引线加激励电压或电流，称为激励电极；2、2′引线为霍尔输出引线，称为霍尔电极。 霍尔元件壳体由非导磁金属、陶瓷或环氧树脂封装而成。 在电路中霍尔元件可用两种符号表示，如图(b)所示。 三、 霍尔元件基本特性 1） 额定激励电流和最大允许激励电流 当霍尔元件自身温升10℃时所流过的激励电流称为额定激励电流。 以元件允许最大温升为限制所对应的激励电流称为最大允许激励电流。因霍尔电势随激励电流增加而增加, 所以, 使用中希望选用尽可能大的激励电流, 因而需要知道元件的最大允许激励电流, 改善霍尔元件的散热条件, 可以使激励电流增加。  2） 输入电阻和输出电阻 激励电极间的电阻值称为输入电阻。霍尔电极输出电势对外电路来说相当于一个电压源, 其电源内阻即为输出电阻。以上电阻值是在磁感应强度为零且环境温度在20℃±5℃时确定的。  3） 不等位电势