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第8章 光电效应及普通光电器件 主要内容: 8.1 光电效应 8.2 光电器件 光电管、光电倍增管、光敏电阻、 光电晶体管、光电池、色敏、 其他光电器件 概述 概述 概述 第8章??????光电式传感器 8.1 光电效应 8.1 光电效应 8.1.1 外光电效应 8.1 光电效应8.1.2 内光电效应 8.1 光电效应8.1.2 内光电效应 8.1 光电效应8.1.2 内光电效应 8.2 光电器件 8.2.1 光电管 习题与思考题: 传感器原理及应用 第8章??????光电式传感器 硅(Si)光敏三极管 光敏晶体管一般是NPN结构,光照射在集电结的基区产生电子-空穴对,电场作用下,光生电子被拉向集电极,基区留下正电荷(空穴),使基极与发射极之间的电压升高,发射极便有大量电子经基极流向集电极,形成三极管输出电流,使晶体管具有电流增益。在负载电阻上的输出电压为 —晶体管电流放大系数 N N P c b e + - 光敏三极管等效电路 8.2 光电器件 8.2.4 光敏晶体管 传感器原理及应用 第8章??????光电式传感器 由伏安特性曲线可见光敏晶体管对光信号具有放大作用 光敏晶体管伏安特性曲线 8.2 光电器件 8.2.4 光敏晶体管 光敏晶体管伏安特性 传感器原理及应用 第8章??????光电式传感器 光敏晶体管的光谱特性 硅材料的光敏管峰值波长在0.9μm附近(可见光) 灵敏度最大; 探测可见光或赤热状 物体时波长短,一般都 用硅管0.9 μm; 锗管的峰值波长约为 1.5 μm(红外光) 对红外进行探测时用 锗管较适宜。 基本参数 光敏晶体管光谱特性 8.2 光电器件 8.2.4 光敏晶体管 传感器原理及应用 第8章??????光电式传感器 硅光敏三极管基本参数 传感器原理及应用 第8章??????光电式传感器 光电池工作原理也是基于光生伏特效应,是直接将光能转换成电能的器件。有光线作用时就是电源(太阳能电池) 所以广泛用于宇航电源,另一类用于检测和自动控制等。 光 电 池 符 号 8.2 光电器件 8.2.5 光电池 光信号 光电池 电信号 传感器原理及应用 第8章??????光电式传感器 太阳能手机充电器 LED 太阳能 供电警示牌 太阳能电池 8.2 光电器件 8.2.5 光电池 光电池种类很多,有硒光电池、锗光电池、硅光电池、砷化镓、氧化铜等等。硒、硅光电池转换效率高、价廉;砷化镓材料的光谱响应与太阳光谱吻合、耐高温和宇宙射线。 传感器原理及应用 第8章??????光电式传感器 光电池结构 光电池实质是一个大面积PN结,上电极为栅状受光电极,下面有一抗反射膜,下电极是一层衬底铝。 原理:当光照射PN结的一个面时,电子—空穴对迅速扩散,在结电场作用下建立一个与光照强度有关的电动势。一般普通光电池可产生0.2V~0.6V电压,50mA电流。 光电池结构 光电池工作原理示意图 8.2 光电器件 8.2.5 光电池 传感器原理及应用 第8章??????光电式传感器 1.光照特性 开路电压—光生电动势与照度之间关系;开路电压与光照度关系是非线性关系,开路电压在照度2000lx趋于饱和。 短路电流—光电流与照度之间关系称短路电流曲线,短路电流是指外接负载相对内阻很小时的光电流。 实验证明,RL小线性范围好,具体根据光照大小而定,通常RL≈100Ω 光电池做电源时当电压源使用,用做控制元件时当电流源使用。 光电池光照与负载的关系 光电池光照特性 8.2 光电器件 8.2.5 光电池 传感器原理及应用 第8章??????光电式传感器 2.光谱特性 光电池对不同波长的光灵敏度不同 硅光电池的光谱响应峰值在0.8μm附近,波长范围0.4~1.2μm。硅光电池可在很宽的波长范围应用。 硒光电池光谱响应峰值在0.5μm附近, 波长范围0.38~0.75μm。 8.2 光电器件 8.2.5 光电池 传感器原理及应用 第8章??????光电式传感器 硅光电池特性参数 传感器原理及应用 第8章??????光电式传感器 8.2 光电器件 8.2.6 色敏传感器 色敏传感器是一种半导体光敏器件,工作原理基于光电效应,该器件可将不同波长的光信号转换为不同电流信号的输出,视为光辐射探测器。 光在半导体中传播时的衰减是由于电子吸收光子,从价带跃迁到导带的结果,该过程称为本征吸收,吸收系数随入射波长变化。 本征吸收 导带 价带 电 子 吸 收 光 子 能 量 禁带 自由状态 传感器原理
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