GB/T 12565-1990半导体器件　光电子器件分规范(可供认证用).pdf

UDC 621.582. 032. 26 L 50 中华人民共和 家标准 GB 1 256 5— 90 半 导 体 器 件 光电子器件分规范 Semiconductor devices Sectional specification for optoelectronic devices （可供认证用） 1 990-1 2-12 发布 1991-10-01 实 国家技术监警局 发布 中华人民共和国国家标准 半 导 体 器 件 光电子器件分规范 GB 1 2565—90 ScmkoBduclor devices Sectioaal tpcclfkatioo for optodcctrowic devices （可供认证用） 1范團 1- 1半导体尢发射器件 ・•光电子昱示器件； b. 发光 -极簣（LED）; c. 红外发射二极管 （【RED）, 1 -厳光二极誓. 12半导体光嫩器件 *•光敏二极管； b.尢敏三扱管； •光控闸擁品体竹， K3半#体图像器件. 1.4光精台器. 2总則 本规范应与其有关的总世砲一起便用；本建范规定了评宦半导体光电子靄件所希的质试评定稈序、 检验要求、篩选噸序、抽样要求、试鲨和灌试方法的细节. 2. 1押关文杵 GB 4589. KIFj C 747-10/QC 700 000）半导体养件 分立器件和集成电踣总规范》 2- 2型度的描荐位 （优选值》 见IEC 747-H半导体器件 分芷器件和•成电路第-部分总则〉第6.5条一 2.3电压和电ift的惟荐值（优送值） 见 1EC 747-1 第 6. 6 条. 3质■评定程序 3.1初治的制造阶段和转包 初始的制造阶段为下述之一？ ■.单品半导体器杵 改变纯P刘或纯N 51俎晶半导体材冏的第一道工序. b.多晶半导体器件 国家技术越*局1990-12-12 1991-10-01 卖整 GB 12565-90 在村廉上淀积多品层. 5.2结构相但器件 器件哥号按结构相似分组的关谴依懈是组内各种型号间的差别不影响试验结果。 对本文件来说： 结构用似器件是指由冋一的适单位采用基本相何的设计和相同的材料，工序和方法制适的器蚌•逋 常仅凶为制造匕的变化使再它们玻分为具有不问电持性、光峙性或辐射秤性的各种F号. 为了联得畫定批准和质械致性检虫所用的样品 ，半静体光电子昶件可以按F述规則分姐. 附录A （补充件》的图解X jf这些规则的应用. 3 2-1 A组和（戒）B组中电和光持性灣试的分组 艮有相同的器件设计、在同一生产圾上制逍的而蛙别仅在搖电和光待性梭限值进行分类的器件•应 帳据这些不同的电和尢特性扱限值 （皱分成各种据号）分为不同埜号的子批. 上述器件最好应包含在冋一坪细规范屮•但圮在任何悄况下槿应在鉴定批准试脸报吿中说明所采 用的分纽细节。 S.2.1.1不同的电稅尢特性极RJ值 对于那其込用于#于抢的不間的电和光特性板限值的具休丽试，毎个子批应擢取与各子批落件数 梅綾的样品试. 上述具体测试的实例为， •-尢敬器件按不同的光敏灵敏度分成各十子批； b・ 尢刑合藩按不同的输入传输比分成各个干批； c.发丸器件按不同的发光或轴射强度分成各个子眦. J