p型半导体和n型半导体.ppt

上页 下页 后退 模拟电子 模拟电子技术基础 上页 下页 返回 杂质半导体 在本征半导体硅或锗中掺入微量的其它适当元素后所形成的半导体 根据掺杂的不同，杂质半导体分为 N型导体 P型导体 1. N型半导体 掺入五价杂质元素（如磷、砷）的杂质半导体 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 掺入少量五价杂质元素磷 P +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 P 多出一个电子 出现了一个正离子 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 P + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 半导体中产生了大量的自由电子和正离子 c. 电子是多数载流子，简称多子;空穴是少数载流 子，简称少子。 e. 因电子带负电，称这种半导体为N(negative)型或 电子型半导体。 f. 因掺入的杂质给出电子，又称之为施主杂质。 b. N型半导体中产生了大量的(自由）电子和正离子。 可见： d. np× nn=K(T) a. N型半导体是在本征半导体中掺入少量五价杂质 元素形成的。 g.负 电 荷 = 受主杂质产生的（majority）+ 本征激发产生的（minority）； 正电荷(空穴) = 受主负杂质离子（majority）+ 本征激发产生的（minority）； 负电荷总数（多子电子）= 正电荷总数（少子空穴 + 受主负离子） h.半导体整体是电中性的 2. P型半导体 在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼等。 B +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 B 出现了一个空位 +4 +4 +4 +4 +4 +4 B +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 B +4 +4 负离子 空穴 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 半导体中产生了大量的空穴和负离子 c. 空穴是多数载流子,电子是少数载流子。 e. 因空穴带正电，称这种半导体为P(positive)型或 空穴型半导体。 f. 因掺入的杂质接受电子，故称之为受主杂质。 a. P型半导体是在本征半导体中掺入少量的三价 杂质元素形成的。 b. P型半导体产生大量的空穴和负离子。 可见： d. np× nn=K(T) g. 正电荷(空穴) = 受主杂质产生的（majority）+ 本征激发产生的（minority）； 负 电 荷 = 受主负杂质离子（majority）+ 本征激发产生的（minority）； 正电荷总数（多子空穴）=负电荷总数（少子电子+受主负离子） h.半导体整体是电中性的 模拟电子技术基础 上页 下页 返回