GB/T 30854-2014LED发光用氮化镓基外延片.pdf

ICS 29.045 H 83 百目 中华人民共和 国 国彖标准 GB/T 30854—2014 LED发光用氮化锈基外延片 Gallium nitride based epitaxial layer for LED lighting 2014-07-24 发布 2015-04-01 实施 GB/T 30854—2014 ■ i r ■ ■ i 刖 吕 本标准按照GB/T 1.1—2009给出的规则起草。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)及材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)共同提出并归口。 本标准起草单位：中国科学院半导体研究所。 本标准主要起草人:魏学成、赵丽霞、王军喜、曾一平、李晋闽、提刘旺。 T GB/T 30854—2014 LED发光用氮化掾基外延片 1范围 本标准规定了 LED发光用氮化傢基外延片 （以下简称外延片）的要求、检验方法和规则以及标志、 包装、运输、储存、质量证明书与订货单 （或合同）内容。 本标准适用于LED发光用氮化傢基外延片。 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的 。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文 件 。凡是不注日期的引用文件 ，其必威体育精装版版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 191包装储运图示标志 GB/T 2828.1计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限 （AQL）检索的逐批检验抽样计划 GB/T 4326 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 GB/T 6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法 GB/T 6619 硅片弯曲度测试方法 GB/T 6620 硅片翘曲度非接触式测试方法 GB/T 13387 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法 GB/T 14140 硅片直径测量方法 GB/T 14142 硅外延层晶体完整性检验方法腐蚀法 GB/T 14264 半导体材料术语 GB/T 14844 半导体材料牌号表示方法 SJ/T 11399 半导体二极管芯片测试方法 3术语和定义 GB/T 14264界定的术语和定义适用于本文件。 4要求 4.1分类 外延片包括LED全结构外延片和按导电类型分为n型和p型两种类型的单层氮化傢外延片 （外延 厚度超过100 通常称为氮化稼单晶）。 4.2牌号 外延片牌号表示按照GB/T 14844的规定。 4.3规格 外延片直径主要分为①50.8 rmn@76.2 mm 、①100 mm^l50 mm 4种规格，或由供需双方商定。 1 GB/T 30854—2014 4.4 LED全结构外延片 4.4.1外形几何尺寸 全结构外延片外形几何尺寸应符合表1的规定。 表1