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- 2019-06-20 发布于四川
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- | 2009-10-30 颁布
- | 2010-06-01 实施
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ICS 29. 045
H 80
中华人民共和国国家标准
GB/T 4058—2009
代替 GB/T 4058— 1995
硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
Test method for detection of oxidation induced defects in
polished silicon wafers
2009-10-30 发布 2010-06-01 实
发布
GB/T 4058—2009
-1.Z- —1—
刖 弓
本标准代替GB/T 4058— 1995 《硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法》。
本标准与GB/T 4058— 1995相比,主要有如下变化:
——范围中增加了硅单晶氧化诱生缺陷的检验;
——增加了引用标准;
——增加了 “术语和定义”章;
—将原标准中 “表 1四种常用化学抛光液配方”删除,在第5章中对化学抛光液配比进行了修
改,删除了乙酸配方;增加了辂酸溶液A的配制、Sirtl腐蚀液及Wright腐蚀液的配制;增加了
几种国际上常用的无鉛、含铸腐蚀溶液的配方、应用及适用性的分类对比表;
-采用氧化程序替代原标准中的氧化的操作步骤;增加了 (1H)面缺陷的显示方法及Wright腐
蚀液的腐蚀吋间,将 (111)面和 (100)面缺陷显示方法区分开了 ;(100)面缺陷的显示增加了
Wright腐蚀液腐蚀方法;
——在缺陷观测的测点选取中增加了 “米”字型测量方法。
本标准的附录A为资料性附录。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位:峨嵋半导体材料厂。
本标准主要起草人:何兰英、王炎、张辉坚、刘阳。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
——GB 4058— 1983.GB/T 4058— 1995;
——GB 6622— 1986,GB 6623— 1986O
T
GB/T 4058—2009
硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
1范围
本标准规定了硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法。
本标准适用于硅抛光片表面区在模拟器件氧化工艺中诱生或增强的晶体缺陷的检测 。
硅单晶氧化诱生缺陷的检验也可参照此方法。
2规范性引用文件
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款 。凡是注日期的引用文件 ,其随后所有
的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究
是否可使用这些文件的必威体育精装版版本 。凡是不注日期的引用文件,其必威体育精装版版本适用于本标准。
GB/T 1554硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
GB/T 14264半导体材料术语
YS/T 209硅材料原生缺陷图谱
3术语和定义
GB/T 14264中规定的术语和定义适用于本标准。
4方法原理
模拟器件工艺的氧化条件 ,利用氧化来缀饰或扩大硅片中的缺陷,或两者兼有,然后用择优腐蚀液
显示缺陷,并用显微技术观测。
5试剂和材料
5. 1三氧化锯,优级纯。
5.2氢氟酸,优级纯。
5.3硝酸,优级纯。
5.4氨水,优级纯。
5.5盐酸,优级纯。
5.6过氧化氢,优级
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