GB/T 4060-2018硅多晶真空区熔基硼检验方法.pdf

ICS 77.040 H 17 OB 中华人民共和国国家标准 GB/T 4060—2018 代替 GB/T 4060—2007 硅多晶真空区熔基硼检验方法 Test method for boron content in polycrystalline silicon by vacuum zone-melting method 2018-09-17 发布 2019-06-01 实施 发布 GB/T 4060—2018 ■ r ■ —— 刖 本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。 本标准代替GB/T 4060—2007（ （硅多晶真空区熔基硼检验方法》 ，与GB/T 4060—2007相比，除编 辑性修改外主要技术变化如下： ——增加了规范性引用文件 GB/T 620—2011.GB/T 626—2006,GB/T 11446.1—2013,GB/T 25915.1- 2010（见第2章）； -修改了方法提要,将 “以1.0 mm/min的速度区熔提纯14次成晶后”改为 “以不高于1.0 mm/min 的速度多次区熔提纯后” （见第4章,2007年版的第4章）； -在干扰因素中增加了 “酸洗用的器皿、酸液和去离子水纯度、腐蚀速度、腐蚀温度、样品暴露时 间都可能带来沾污，应加以控制” （见5.4）； ——删除了干扰因素中关于区熔后单晶的要求、测试环境 （见2007年版的5.6.5.7）； -在试剂和材料中“P型电阻率不低于3 000 Q • cm的籽晶”修改为 “籽晶应为无位错的P型 111高阻硅单晶，且受主杂质含量（原子数）小于2.5 X102 cm-\碳含量 （原子数）小于 5X10 cm-3 .晶向偏离度小于5° ” （见6.4,2007年版的6.1）; -在仪器设备中的 “取芯设备”修改为 “取芯设备，可钻出直径约为15 mm〜20 mni且长度不小 于100 mm的多晶硅样芯” ［见7.1,2007年版的7a）］； ——增加了两探针或四探针电阻率测试仪 （见7.6）； ——增加了测试环境 （见第8章）； 在取样中平行于硅芯钻取长180 mm左右，直径为15 mm 〜20 mm左右的样芯作样品修改 为 “平行于硅芯钻取长度不小于Joo mm 直径为15 mm 〜20 mm的样芯作样品（见9.2,2007年 版的2）； -样芯距多晶硅棒底部的距离由 “不低于50 mm”改为 “不小于250 mm”（见9.4,2007年版的8.4）； -删除了 “选择电阻率大于3 000 Q • cm 碳含量小于0.2X10 无位错，晶向偏离度小于5°的 p型 〈111〉高阻硅单晶切割制备成的籽晶” （见2007年版的10.1.1）； -在区熔拉晶步骤增加了 “第1次与第2次提纯完成后 ，每次保留一个熔区长度的尾部，第3次 开始固定区熔长度” （见11.4）0 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC 203）与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分会（SAC/TC 203/SC 2）共同提出并归口。 本标准起草单位：江苏中能硅业科技发展有限公司、亚洲硅业（青海）有限公司、洛阳中硅高科技有 限公司、峨嵋半导体材料研究所。 本