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- 2019-06-20 发布于四川
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- | 2018-12-28 颁布
- | 2019-11-01 实施
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ICS 77.040
H 17 £3©
中华人民共和国国家标准
GB/T 4059—2018
代替 GB/T 4059—2007
硅多晶气氛区熔基磷检验方法
Test method for phosphorus content in polycrystalline silicon by zone-melting
method under controlled atmosphere
2018-12-28 发布 2019-11-01 实施
发布
GB/T 4059—2018
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本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准代替GB/T 4059—2007«硅多晶气氛区熔基磷检验方法》 ,与GB/T 4059—2007相比,除编
辑性修改外,主要技术变化如下:
——基磷含量的测定范围由 “0.002 X 10^〜100 X 10-9 ”修改为“0.01 X 1013 cm-: ; 〜500 X 1013 cm^: i ”
(见第1章,2007年版的第1章);
一调整了规范性引用文件,删除了 GB/T 1553、GB/T 1554,GB/T 1555. GB/T 13389,增加了
GB/T 1550 、GB/T 4060 、GB/T 4842 、GB/T 8979 、GB/T 11446. 1—2013, GB/T 24574、
GB/T 24581 、GB/T 25915.1—2010(见第 2 章,2007 年版的第 2 章);
——修改了样芯的定义,删除了 “空心钻头” (见3.3,2007年版的3.3);
修改了方法A和方法B的方法原理表述(见4.1.4.2,2007年版的4.1,4.2);
-干扰因素中酸洗和区熔操作的环境修改为“不低于GB/T 25915.1-2010规定的6级洁净环
境” [见5.3,2007年版的第5章c)];
-干扰因素中增加了样品处理过程、区熔速度、硅芯等3项对测试结果有影响的因素(见5.4、
5.6、5.7);
-删除了干扰因素中关于区熔后硅单晶棒、测试环境的要求 [见2007年版的第5章f) 、第5章
g)];
——修改了试剂和材料中去离子水 、氮气的要求 (见6.3.6.4,2007年版的6.3 、6.5);
——试剂和材料增加了氮气的要求 (见6.5);
-修改了试剂和材料中籽晶的要求,由“ 型电阻率不低于500 £1 • cm的籽晶”修改为 “籽晶应为
无位错的N型 〈111〉高阻硅单晶,且施主杂质含量(原子数)小于2.5X1012 cm-3,碳含量 (原子
数)小于5X1015 cm-3,晶向偏离度小于5° ”(见6.6,2007年版的6.1);
——对仪器设备中的 “取芯设备”增加了要求 [见7.1,2007年版的第7章a)];
——“真空内热式区熔炉”改为 “内热式区熔炉” [见7.5,2007年版的第7章d)];
-仪器设备中增加了超声清洗设备、氮气与氮气纯化装置、导电类型测试仪、两探针电阻率测试
仪、低温红外光谱仪或光致发光光谱仪 (见7.3、7.6、7.7、7.8、7.9);
-删除了定性滤纸、真空吸尘器、洁净室专用的手套等实验室常用材料
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