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- | 1996-07-09 颁布
- | 1997-01-01 实施
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ICS 31.200
OB
中华人民共和国国家标准
GB/T 6798-1 996
半导体集成电路
电压比较器测试方法的基本原理
Semiconductor integrated circuits
General principles of measuring methods
of voltage comparators
1996-07-09 发布 1 997-01-01 实施
家 :技术监僭局发布
目 次
1主副内容与适用也谢1
2弓 I用标准 - 1
3总的要戒 1
4电持性冏试 2
4.1输入失调电IR VBJ 2
4.2输入失调电压i»度系ft avm — 3
4.3输入失调电 4
4.4输人失调电流温度豪数% ) “・5
4.5输入怕殴电浪/■ 6
4.6输人恢青电溫说度杲散<» 6
4.7律态功耗A, 7
4.8 幵环电斥冷益儿° 8
4.9共鶯非制比辰叩 10
4.10最大共備輛入电压 13
4. 11 电源电压抑制比K’m 】3
4.12 *4大差犍峨入电it ViaM 15
4. 13缁出高电平电压匕期 16
4. 14 输出低电平电ffi VL<L 16
4.15 高电平输岀电流Joh 17
4.16 低电平納出电流人 18
4. 17 开环差模输入电阻尺口 19
4.18 开环单粉出电阻 b 19
4.19低电平选通电就人仏> 20
4. 2Q高电平选通电vft ^sfcui 21
4.21响应时间
4- 22选通延迟时间5
附录A电參数符号(补死件) 25
中华人民共和国国家标准
半导体集成电路
电压比较器测试方法的基本原理 gb/t 6798-1996
Semiconductor integrated circuits 代W GR 67Q« 86
General principles of measuring methods
of voltage CTMnparators
1主題内春与适用范醐
本标准规宦了半导体與成电路电压比较器(以下磴称器件)电将性测试方医的慕布原用
*惦准适用于半导体毎成电烙电压比较签电特性的幽试.
2引用标准
GB 3431. 1半导体餐成屯路文字符号 电参救文字符号
3总的整求
3-1若无胖殊说明 ,魁试期问,歼境或篡考点船度促离规定值的柩圏应符合 “件谗第規范的规定.
3.2利试期间•应菇免外界 I扰对IW试榊度的够响.伺试设备引起的测试误差应符合欝件佯细規范的
规定.
3.3测试期闾 ,極于被赵雅件的电涯的内阻在信号植卓下应荡本为寧 :电探电压的備范应在规定債的
±】%以内. «f件的其他电嘉it的精度应符合器件详细规范的规定。
3・4在被* *2? 件找性工作区測试时 ,交佈小信号幅度的谨渐减小不应引起鲁数(ft的变化.
3. 5祓伺器杵与材试系统连按或斷开时•不应iffl过器件的續用軽限条件.
3
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