薄膜物理课件合金及化学物的蒸发.ppt

合金及化合物的蒸发 　二、化合物的蒸发 合金及化合物的蒸发 合金及化合物的蒸发 合金及化合物的蒸发 合金及化合物的蒸发 合金及化合物的蒸发 合金及化合物的蒸发 合金及化合物的蒸发 合金及化合物的蒸发 合金及化合物的蒸发 三、特殊的蒸发法 分子束外延镀膜法 (4) MBE是动力学过程，即将入射的中性粒子(原子或分子)一个一 个地堆积在衬底上进行生长，而不是一个热力学过程，所以它 可生长按照普通热平衡生长方法难以生长的薄膜 (5) MBE的另一显著特点是生长速率低，大约１μm/h，相当于每 秒生长一个单原子层，因此有利于实现精确控制厚度、结构与 成分和形成陡峭异质结等。 MBE特别适于生长超晶格材料 　　 (6) MBE是在一个超高真空环境中进行的，而且衬底和分子束源相 隔较远，因此可用多种表面分析仪器实时观察生长面上的成分　 结构及生长过程，有利于科学研究 　　 MBE已在固体微波器件、光电器件、多层周期结构器件和单分子 层薄膜等方面的研制得到广泛应用 　　 真空蒸发镀膜法操作步骤： (1) 放置基片 (2) 排气 (3) 加热基片(要想快，可以从排气开始后立即进行加热，但为慎重起见，最好在获得高真空后开始加热) (4) 蒸发源除气(供给蒸发源蒸法所需的30％～100％的电功率) (5) 蒸镀(旋转基片，供给蒸发源所需电能，打开挡板) (6) 达到所要求的膜厚之后，关闭挡板，停止供给蒸发源和基片电能 (7) 经过必要的冷却时间之后，取出基片，放入下一批基片 Lr(103) Thulium No(102) Nobelium 　Md(101) Mendelevium Fm(100) Fermium Es(99) Einsteinium Cf(98) Californium Bk(97) Berkelium Cm(96) Curium Am(95) Americium Pu(94) Plutonium Np(93) Neptunium U(92) Uranium Pa(91) Proactinium Th(90) Thorium Lu(71) Lutetium Yb(70) Ytterbium Tm(69) Thulium Er(68) Erbium Ho(67) Holmium Dy(66) Dysprosium Tb(65) Terbium Gd(64) Gadolinium Eu(63) Europium Sm(62) Samarium Pm(61) Promethium Nd(60) Neodymium Pr(59) Ce(58) 　 Uuo Uus Uuh Uup Uuq Uut Uub Uuu Uun Mt(109) Meitnerium Hs(108) Hassium Bh(107) Bohriium Sg(106) Seaborgium Db(105) Dubnium Rf(104) Rutherfordium Ac(89-103) Actinium Ra(88) Radium Fr(87) Francium Rn(86) Radon At(85) Astatine Po(84) Polonium Bi(83) Bismuth Pb(82) Lead Tl(81) Thallium Hg(80) Mercury Au(79) Gold Pt(78) Platinum Ir(77) Iridium Os(76) Osmium Re(75) Rhenium W(74) Tungsten Ta(73) Tantalum Hf(72) Hafnium La(57-71) Lanthanum Ba(56) Barium Cs(55) Cesium Xe(54) Xenon I(53) Iodine Te(52) Telluriu Sb(51) Antimony Sn(50) Tin In(49) Indium Cd(48) Cadmium Ag(47) Silver Pd(46) Palladium Rh(45) Rhodium Ru(44) Ruthenium Tc(43) Technetium Mo(42) Molybdenum Nb(41) Niobium Zr(40) Zirconium Y(39) Yttrium Sr(38) Strontium Rb(37) Rubidium Kr(36) Krypton Br(35) Bromine Se(34) Selenium As(33) Arsenic