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科学出版社《光电技术》第 1 版习题与思考题及参考解答
第 5 章 光电子发射探测器
5-1 图5-1 中，如果改成在重掺杂的N 型硅表面涂一层极薄的某种金属，经过特殊处理形成
P 型半导体（厚度仅有几个 nm ）。能不能构成负电子亲和势的材料？试画图加以分析。
答：负电子亲和势指体内衬底材料的有效电子亲和势为负值。
如图 1 所示，体内 P-Si 内产生的光电子需要克服的有效电子亲和势为E =E -E 0 ，另
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