模拟电子技术 基础篇 第二版 2.ppt

第二章 半导体三极管及其基本放大电路 目 录 半导体三极管 一、1.三极管的结构和符号 二、三极管的输出伏安特性 三个工作区： ? 1、放大区：输出特性曲线近似于水平的部分是放大区。IC和IB成正比，，表示三极管的电流放大能力。三极管工作于放大区的电压条件是：发射结上有正偏电压，集电结上有反偏电压。 ? 2、截止区：在基极电流IB=0所对应的曲线下方的区域是截止区。，IB=0，IC=ICEO（穿透电流）。三极管工作于截止区的电压条件是：发射结上有反偏电压，集电结上也有反偏电压。 3、饱和区：饱和区是对应于UCE较小（此时UCEUBE）的区域。在这个区域里，IC与IB已不成比例关系。三极管工作于饱和区的电压条件是：发射结上是正偏电压，集电结上也是正偏电压。 固定偏置式共发射极放大器 二、放大器的基本工作原理 三、放大器的分析 2、动态分析： ② 放大器的交流通路及微变等效电路： ③放大器动态指标的估算： 分压偏置式共发射极放大器 一、电路结构： 二、分压偏置式放大器稳定Q点的原理 三、分压偏置式放大器的分析 1、静态工作点： 2、动态指标： 共集电极放大器 1、静态工作点： 共基极放大器 三种组态放大器的比较 共发射极放大器的电压、电流、功率增益都比较大，因而应用广泛。但它的输入电阻较小，对前级信号源索取的电流较大；它的输出电阻比较大，不适合带动变化大的负载。 共集电极放大器虽然没有电压增益，但有电流增益，所以仍有功率增益。其最主要的优点是它的输入电阻高、输出电阻小，对前级信号源索取的电流小，带负载的能力强。所以共集电极放大器既可作为多级放大器的输入级，又可作为多级放大器的输出级。有时，也将其作为多级放大器的中间级，用于分配信号。 共基极放大器没有电流增益，但电压增益不小，仍有功率增益。因为它的频率响应好，多用于放大高频信号。 多级放大器  二、多级放大器的级间耦合方式 2. 变压器耦合 3. 直接耦合 二、多级放大器的分析 2、多级放大器的输入电阻和输出电阻 三、放大器的频率响应 场效应晶体管 二、各种场效应管的符号和特性曲线 2.p沟道结型 本章小节 4.三极管放大器有三种组态。共发射极放大器的电压和电流放大倍数都较大，应用广泛；共集电极放大器的输入电阻高、输出电阻小，电压放大倍数接近1，适用于信号的跟随；共基极放大器适用于高频信号的放大。 5. 多级放大器有三种耦合方式：阻容耦合、变压器耦合和直接耦合。多级放大器的电压放大倍数是各级放大器电压放大倍数的连乘积。 6. 场效应管又称单极型晶体管，是电压控制型器件，有绝缘栅型和结型两类。输入电阻高是场效应管的突出特点。 7. 场效应管有三个工作区：可变电阻区、恒流区和击穿区。用于放大时，工作在恒流区。 转移特性 输出特性 符号和极性 3.增强型NMOS 转移特性 输出特性 符号和极性 4.增强型PMOS 转移特性 输出特性 符号和极性 5.耗尽型NMOS 转移特性 输出特性 符号和极性 6.耗尽型PMOS 符号和极性 转移特性 输出特性 返回本章目录 1. 半导体三极管又称双极型晶体管是一种电流控制型器件，它有三个工作区域：放大区、截止区和饱和区。三极管工作在放大区必须满足：发射结有正偏电压，集电结有反偏电压。 2.放大器的分析包括静态分析和动态分析。静态分析是对放大器的直流通路求Q点，看直流条件是否满足三极管的放大条件，一般常用估算法；动态分析是对放大器的交流通路求Au、Ri和RO，看放大器对信号的放大能力，对小信号放大器一般采用微变等效法。 3.放大器静态工作点的稳定直接影响到放大器性能，分压偏置式放大器是最常用的工作点稳定电路。 返回本章目录 * 模拟电子技术基础 本章重点：三极管的伏安特性； 共发射极放大器的分析； 共集电极放大器的分析； 本章难点：三极管的伏安特性； 放大器的静态和动态分析； 半导体三极管 固定偏置式共发射极放大器 分压偏置式共发射极放大器 共集电极放大器 共基极放大器 多级放大器 场效应晶体管 本章小节 返回主目录 NＰN型三极管的结构和符号 PNP型三极管的结构和符号 2.电流方向和各极极性： NPN PNP 返回本章目录 一、电 路