半导体物理与器件实验报告.docx

课程实习报告 HUNAN UNIVERSITY 题 目： 半导体物理与器件 学生姓名： 周强强 学生学号： 20100820225 专业班级： 通信二班 完成日期： 2012.12.22 运彳丁结果截图： 2.2函数V(x,r) = cos(2^x//l-6ZX)也是经典波动方程的解。令05兀532,请在同一坐标屮 绘出x的函数V(x,r)在不同情况下的图形。 (1)69/ 二 0; (2)。= 0.25龙;⑶血二 0.5龙;(4)69/ = 0.75兀;(5)cot = 71 VI = Cos [ 2 7T x / A V2 = Cos [ 2 7T x / A V3 = Cos [ 2 7r x / A V4 = Cos [ 2 7r x / A V5 = Cos [ 2 7T x / A A = 1; -01； -0.5 7r]; ?兀]; -1.5 7T]; ? 2?r]; Plot [{VI, V2, V3Z V4, V5}, {x, 0z 3} Plotstyle -? {RGBColor[lz 0z 1] z| RGBColor[l, 0?5, 0] z RGBColor[lz 0r 0?5] z RGBColor[0, lr 0] z RGBColor[0z 0z 1] }z Axes Label {,r(/A),rz lfV(xzt),r}] 3.27根据式(3.79),绘制出-0.2(E-EF)0.2eV范用内，不同温度条件下的费米?狄拉克 概率函数：(q)T = 200K,(b)T = 300K,(c)T = 400K。 ：F1 = -EXP[咼] F2 = — Exp[血] F3 = — Exp[咼 k = 0.0000861; Plot [{Flz F2, F3}, {x, -0?2, 0?2}, Plotstyle -? {RGBColor[lz 0, 0]z RGBColorfO, 1, 0]z RGBColorfO, 0, 1]}Z AxesLabel - {u (E-EF) nz n ”}] Outp6)= Outp6)= 4.3画出（a）硅，（b）错，（c）神化镣在温度范围200/^ T600/C内的本征载流子浓度曲线 （采用对数坐标）。 a设X二罟％) Si = Sqrt[2 ?8 w 1?04 * 103S w (1000/ x / 300 ) A3 * TOC \o 1-5 \h \z -1 ? 12 -i 1 \o Current Document Exp ； wl000/xJ J Ge = Sqrt[l?04 * 6 * IO37 w (1000 /x /300 ) A3 * 「 -0.66 -i -i \o Current Document Exp ； 1000 /x」」 GaAs = Sqrt[4 ?7 w 7 w 1035 * (1000 /x / 300 ) A3 w -1 ? 42 -i -| Exp ； 1000/ x」」 LogLogPlot[{Sif Gez GaAs} , {x# 10 / 6Z 5} # Plotstyle -? {RGBColor[lz 0, 0] z RGBColorfO, 1, 0] z RGBColorfO, 0, 1]}Z Axes Label - {?(1000/T)wz ? 本征義流子浓度 N±H}] (1000.T) (1000.T) 4.46已知错的掺杂浓度为A^a=3xl0l5cm3, Nd=0o画岀费米能级相对于本征费米能级的位 置随温度变化(200/C T 600K)的曲线。 Nc = 1.04 w 1019; N.v. = 6 * 1019; Ej = 0.66; k = 8.62 *10-5; Na = 1015; Nd = 0; HQ2 HQ 2 Plot[匚{Tz 200z 600}, Axes Label - {“TU] 5.2。硅中有效状态密度为 5.2。硅中有效状态密度为—2.8X10苗 g..际10嗚严 一 3/2 一 3/2 、一 3/2 设迁移率为An=1350300冷= 设迁移率为 An=1350 300 冷=480 300丿 设禁带宽带为E=\A2eN,且不随温度变化。画出200/C T 6007C范国内，本征电导率随 绝对温度T变化的关系曲线。 Nc = 2.8 w 1019T \3/2N.v. = 1.04 w 1019300/ Nc = 2.8 w 1019 T \3/2 N.v. = 1.04 w 1019 300/ / T \3/2 “匸=1350 \300 T \-3/2 300/ T