华工网络教育模拟电子随堂练习及答案.docx

第1章常用半导体器件 N型半导体的多数载流子是电子，因此它应（）。 A?带负电B.带正电C.不带电 答题：匚A.匚B?国C.匚D.（已提交） 参考答案：C 问题解析： 将PN结加适当的反向电压，则空间电荷区将（）。 A.变窄B.变宽C.不变 答题：Ca.Eb.Cc.Cd.（已提交） 参考答案：B 问题解析： 二极管的死区电压随环境温度的升高而（）。 A.增大B.不变C.减小 答题：C A. C B. E C. C D.（已提交） 参考答案：C 问题解析： 电路如图所示，设全部二极管均为理想元件，当输入电压ui=10sin-tV时, 输出电压最大值为10V的电路是（ ）。 答题：C A. C B. E 答题：C A. C B. E C. C D.（已提交） 0 参考答案：C 问题解析： 5.电路如图所示，DI, D2均为理想二极管，设U 1=1OV, ui=40sinotV,则输出 电压uO应为（）。 最大值为40V,最大值为 最大值为40V, 最大值为40V, 最大值为10V, 最大值为10V, 最小值为0V 最小值为+10V 最小值为一40V 最小值为0V 答题：匚A.匚B.匚C.国D.（己提交） 参考答案：D 问题解析： U* U* % A 1 ? D A 6. 。 ■ O 稳压管的动态电阻rZ是指（ ）。 稳定电压卩1与相应电流IZ之比 稳压管端电压变化量AUZ与相应电流变化量AIZ的比值 稳压管正向压降与相应正向电流的比值 答题：匚A.国B.匚C.匚D.（己提交） 参考答案：B 问题解析： 7?在放大电路中的晶体管，其电位最高的一个电极是（）。 A. PNP管的集电极B. PNP管的发射极 C.NPN管的发射极D. NPN管的基极 答题：匚A.国B.匚C.匚D.（己提交） 参考答案：B 问题解析： 8.已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=-1.7V, VB=-1.4V, VC=5V, 则该管类型为（）。 A. NPN型错管B. PNP型错管 C. NPN型硅管D?PNP型硅管 答题：E A. C B. C C. C D.（已提交） 参考答案：A 第2章基本放大电路 1.如果改变晶体管基极电压的极性，使发射结由正偏导通改为反偏，则集电极 电流 （）。 A.反向B.近似等于零 C.不变D.增大 答题：C A.国B. C C.匚D.（已提交） 参考答案：B 问题解析： 2?晶体管处于饱和状态时，集电结和发射结的偏置情况为（）。 发射结反偏，集电结正偏 发射结、集电结均反偏 发射结、集电结均正偏 发射结正偏、集电结反偏 答题：匚A.匚B目C.匚D.（已提交） 参考答案：C 问题解析： 晶体管的电流放大系数万是指（ ）o 工作在饱和区时的电流放大系数 工作在放大区时的电流放大系数 工作在截止区时的电流放大系数 答题：C A. E B. C c. C 0.（已提交） 参考答案：B 问题解析： 低频小功率晶体管的输入电阻rbe等于（ ）。 A. 4 B. ￡ C.300Q-F26 I# C. 300Q-F 26 I# 答题：匚A.国B.匚C.匚D.（己提交） 参考答案：B 问题解析： 某电路如下图所示，晶体管集电极接有电阻RC,根据图中的数据判断该管处 在（ ）。 A.截止状态B.放大状态C.饱和状态 答题：C A. 答题：C A. E B. C C. C D.（已提交） 参考答案：B 问题解析： 某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则该场效应管为（ P沟道耗尽型MOS管 N沟道增强型MOS管 P沟道增强型MOS管 N沟道耗尽型MOS管 ）。 41 蛰■弭答题： 41 蛰■弭 答题：C A. E B. C C. C D.（己提交） 参考答案：B 问题解析： 已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则此管子的夹断电压爲约 为（ ）。 A. OV B. +2V C. -2V D. -IV 4 4 /■* 答题：C A. C B. E C. C D.（已提交） 参考答案：C 问题解析： 8.已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则在UDS二10V, UGS=OV处的跨导 gm约为（ ）o A. 1mA. /V B. 0. 5mA. /V C. -1mA. /V D. -0. 5mA. /V “沁 J “沁 J 答题：日A?匚B.匚C?匚D?（已提交） 参考答案：A 问题解析： 如图示放大电路中接线有错误的元件是（ ）。 A. RL B. RB C.C1 D. C2 答题：C A.国B. C C.匚D.（已提交） 参考答案：B 问题解析： 放大电路如图所示，由于RB1,和RB2阻值选取得不合适而产生了饱和失真, 为了改善失真，正确的做法是（ ）o A.适当增加RB2,减小RBI B.保持RB1不变，适当增加RB2 C.适当增加