半导体塑工艺介绍.ppt

封装 工艺 教 育 Mold Process Education 保护已经完成的 Bonding 制品 保护对象: 制品的CHIP，WIRE ，PAD，INNER LEAD 等 保护方法: 用 EMC ( EPOXY MOLDING COMPOUND ) 将之于外界隔离 Mold 工程 原理 MOLDING 前 Example : (TO-3PN) MOLDING 后 封装原理：将制品头部密闭在由模具镶件组成的成型腔内，然后在成型腔内注入 EMC。经过一定的保压 时间使 EMC 硬化 后，Molding 完成。 EMC 是在注塑头（Transfer ）的挤压下进入成型腔的，因此 Transfer 运动的速度，力量是制品的成型的关键。 模具镶件的组成 Mold 完成后，将制品顶出成型腔 制品的脚与 PKG 的分界处， 同时，有排气的功能 真正成型的地方 EMC 进入成型腔的门 EMC 从 加料点至成型腔的路径 作用 E/J Pin Lead Guide Cavity Gate Runner 名称 EMC Transfer Brake Point：Transfer 开始接触 EMC 的 位置； Transfer Time 开始计时的 位置。 Transfer 开始变速的位置； 有的 PKG，Transfer 要变 2，3次速 Mold 工程 流程 L/F Loading Mold Die L/F Loading Die Close Transfer down Mold Cure Die Open L/F Loading 1.将常温状态下 Lead Frame 加热至 Mold Die 温度左右.使 Lead Frame 能够正确放入 Mold Die 中(Location Pin ) ; 2. Lead Frame 装载,便于大规模作业 Pre-heater EMC预热（80 ℃、60秒以内使用） 使 EMC 进入 Mold Die 很快能够使用。 使用高频加热，优点：升温快，内外温度一致。 T/F T/T C/F EMC保压固化时间 相关品质项目；未充尽，PKG 破损 EMC 进入成型腔后的保压固化压力 相关品质项目： Wire Sweep，未充尽， Void， Flash Transfer 下将时，从 Brake Point 开始 至 动作停止且 Transfer Force 达到设定值之间的时间。它定义了，EMC 流动的速度。 相关品质项目： Wire Sweep，未充尽， Void。 保证金型闭合压力 相关品质项目：Flash 继续加热 EMC ，使其 可以可以流动 相关品质项目：Wire Sweep，Mis-match 目的 Cure Time C/T Transfer Force； Transfer Time Clamp Force Mold Temp C/T 全称 项目 Vertical off-center Horizontal off-center Dimension Check PKG Thickness PKG Width PKG Length Off-center Mismatch Vertical Mismatch Horizontal Mismatch PKG SIZE ① ③ ④ ⑥ ② ⑤ ? ? ⑩ ⑧ ⑨ ⑩ ⑧ ⑨ 计算公式 Horizontal off-center=（⑨-⑧）/2 Vertical off-center= （?-⑩）/2 Horizontal Mismatch= （③+①-②）/2 Vertical Mismatch= （⑥+④-⑤）/2 Mold 工程 不良项目 1 原因 1）MOLD 上/下 金型 不整合 2）模具镶件 磨损/安装不良 3）模具金型 温度不整合 Quality Check PKG Void PKG Non-Fill/chip PKG -crack Gate Burr Bleed/Flash Wire Sweep Working Check 金型 Center Block/Runner Block 等磨损造成的原因 L/F Sticking Cull Sticking IC：15％ TR：20％ Mold 工程 不良项目 2 造成原因：Cavity 划伤；有异物质 造成原因：G