NAND和NOR两种FLASH存储器的区别.PDF

NOR NAND 是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel 于 1988 年首先开发出 NOR flash 技术，彻底改变了原先由EPROM EEPROM 一统天下的局面。紧接着，1989 年，东芝公司发表了NAND flash 结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘 一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清 NOR NAND 闪存。 相 “flash 存储器”经常可以与相 “NOR 存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚 NAND 闪存技术相对于NOR 技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的 代码，这时NOR 闪存更适合一些。而NAND 则是高数据存储密度的理想解决方案。 NOR 的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place) ，这样应用程序可以直接在flash 闪存 内运行， 必再把代码读到系统RAM 中。NOR 的传输效率很高，在1～4MB 的小容量时 具有很高的成本效益，但是很低的写入 擦除速度大大影响了它的性能。 NAND 结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入 擦除的速度也 很快。应用NAND 的困难在于flash 的管理 要特殊的系统接口。 性能比较 flash 闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写 再编程。任何flash 器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前 必须先执行擦除。NAND 器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR 则要求在进行擦除前 先要将目标块内所有的位都写为0 。 由于擦除NOR 器件时是以64～128KB 的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为 5s，与此相反，擦除NAND 器件是以8～32KB 的块进行的，执行相同的操作最多只 要4ms 。 执行擦除时块尺寸的 同进一步拉大了NOR NADN 之间的性能差距，统计表明，对 于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时) ，更多的擦除操作必须在基于NOR 的单元中 进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。 ● NOR 的读速度比NAND 稍快一些。 ● NAND 的写入速度比NOR 快很多。 ● NAND 的4ms 擦除速度远比NOR 的5s 快。 ● 大多数写入操作 要先进行擦除操作。 ● NAND 的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。 接口差别 NOR flash 带有SRAM 接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每 一个字节。 NAND 器件使用复杂的 I/O 口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各 相 同。8 个引脚用来传送控制、地址 数据信息。 NAND 读 写操作采用 512 字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地， 基于NAND 的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。 容量和成本 NAND flash 的单元尺寸几乎是NOR 器件的一半，由于 产过程更为简单，NAND 结 构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。 NOR flash 占据了容量为 1～16MB 闪存市场的大部分，而NAND flash 只是用在 8～ 128MB 的产品当中，这也说明NOR 主要应用在代码存储介质中，NAND 适合