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半导体制造工艺流程 兆声清洗 半导体制造工艺流程 在喷雾的清洗的技术中，湿法清洗化学品被喷射到置于旋转密封内片架的硅片上。每个清洗的步骤后，去离子水清洗溶液被喷射到硅片上，并且对去离子水的电阻率进行监控，以确定何时所有的化学物都被去除。喷射腔在工艺过程中被密封以隔离化学物和他们的蒸汽。完成清洗和清洗循环之后，腔体充入加热的氮气洗涤，并加速旋转以甩干硅片。 喷雾清洗 半导体制造工艺流程 喷雾清洗 半导体制造工艺流程 刷洗器 硅片刷洗是去除硅片表面颗粒的一种有效的方法。刷洗在化学机械抛光(CMP)后广泛运用，因为化学机械抛光产生大量的颗粒。刷洗能去除直径2微米或更小的颗粒。 半导体制造工艺流程 刷洗器设备 半导体制造工艺流程 水清洗 半导体制造工艺流程 水清洗 半导体制造工艺流程 水清洗 半导体制造工艺流程 水清洗 半导体制造工艺流程 硅片甩干 半导体制造工艺流程 干法清洗 半导体制造工艺流程 Thank you! Your site here LOGO 半导体制造工艺流程 让我们和迈博瑞一起成长 作者：Richard_Liu 半导体制造工艺流程 让我们和迈博瑞一起成长 * 半导体制造工艺流程 沾污经常会造成电路失效，沾污类型主要包括如下： 颗粒 金属 有机物 自然氧化层 静电释放（ESD） 沾污类型 半导体制造工艺流程 颗粒沾污 半导体制造工艺流程 颗粒沾污 半导体制造工艺流程 颗粒沾污 最小颗粒0.1微米 半导体制造工艺流程 金属沾污 来源：离子注入、各种器皿、管道、化学试剂 半导体制造工艺流程 途径： 通过金属离子与硅片表面的氢离子交换而被束缚在硅片表面； 被淀积到硅片表面。 金属沾污 半导体制造工艺流程 金属沾污 半导体制造工艺流程 有机物杂质在IC制程中以多种形式存在，如人的皮肤油脂、净化室空气、机械油、硅树脂真空脂、光致抗蚀剂、清洗溶剂等。 每种污染物对IC 制程都有不同程度的影响，通常在晶片表面形成有机物薄膜阻止清洗液到达晶片表面。因此有机物的去除常常在清洗工序的第一步进行。 有机物沾污 半导体制造工艺流程 自然氧化层沾污 半导体制造工艺流程 ESD沾污 半导体制造工艺流程 ESD沾污 半导体制造工艺流程 1. 空气 2 . 人 3. 厂房 4. 水 5. 工艺用化学品 6. 工艺气体 7. 生产设备 沾污源与控制 半导体制造工艺流程 厂房： 净化间布局 气流原理 空气过滤 温度和湿度 静电释放 沾污控制 半导体制造工艺流程 厂房布局 半导体制造工艺流程 气流原理 半导体制造工艺流程 微环境 半导体制造工艺流程 硅片清洗方法分类 ①湿法清洗 湿法清洗采用液体化学溶剂和DI水氧化、蚀刻和溶解晶片表面污染物、有机物及金属离子污染。通常采用的湿法清洗有RCA清洗法、稀释化学法、 IMEC清洗法、单晶片清洗等. ②干法清洗 干法清洗采用气相化学法去除晶片表面污染物。气相化学法主要有热氧化法和等离子清洗法等，清洗过程就是将热化学气体或等离子态反应气体导入反应室，反应气体与晶片表面发生化学反应生成易挥发性反应产物被真空抽去。 半导体制造工艺流程 沾污 名称 化学配料描述 （所有清洗随后伴随去离子水清洗） 化学分子式 颗粒 Piranha(SPM) 硫酸/过氧化氢/去离子水 H2SO4/H2O2/H2O SC-1 (APM) 氢氧化铵/过氧化氢/去离子水 NH4OH/ H2O2/H2O 有机物 SC-1 (APM) 氢氧化铵/过氧化氢/去离子水 NH4OH/ H2O2/H2O 金属（不含铜） SC-2 (HPM) 盐酸/过氧化氢/去离子水 HCL/ H2O2/H2O Piranha(SPM) 硫酸/过氧化氢/去离子水 H2SO4/ H2O2/H2O DHF 氢氟酸/水溶液（不能去除铜） HF/ H2O 自然氧化层 DHF 氢氟酸/水溶液（不能去除铜） HF/ H2O BHF 缓冲氢氟酸 NH4F/ HF/ H2O 硅片湿法清洗化学品 半导体制造工艺流程 RGA清洗 半导体制造工艺流程 半导体制造工艺流程 半导体制造工艺流程 半导体制造工艺流程 RGA清洗 半导体制造工艺流程 RGA清洗 半导体制造工艺流程 清洗步骤 目的 H2SO4/H2O2（Piranha） 有机物和金属 UPW清洗（超纯水） 清洗 HF/ H2O 自然氧化层 UPW清洗 清洗 NH4OH/ H2O2/H2O（SC-1） 颗粒 UPW清洗 清洗 HF/ H2O 自然氧化层 UPW清洗 清洗 HCL/ H2O2/H2O（SC-2） 金属 UPW清洗 清洗 HF/ H2O 自然氧化层 UPW清洗 清洗 干燥 干燥 典型的硅片湿法清洗顺序： 半导体制造工艺流程 去离子水补给和精加工回路 半导体制造工艺流程 湿法清洗设