课件：IC封装测试流程详解.ppt

Company Logo FOL– 2nd Optical Inspection二光检查 主要是针对Wafer Saw之后在显微镜下进行Wafer的外观检查，是否有出现废品。 Chipping Die  崩 边 Company Logo FOL– Die Attach 芯片粘接 Write Epoxy 点银浆 Die Attach 芯片粘接 Epoxy Cure 银浆固化 Epoxy Storage：零下50度存放； Epoxy Aging：使用之前回温，除去气泡； Epoxy Writing：点银浆于L/F的Pad上，Pattern可选； Company Logo FOL– Die Attach 芯片粘接 芯片拾取过程：1、Ejector Pin从wafer下方的Mylar顶起芯片，使之便于 脱离蓝膜；2、Collect/Pick up head从上方吸起芯片，完成从Wafer  到L/F的运输过程；3、Collect以一定的力将芯片Bond在点有银浆的L/F 的Pad上，具体位置可控；4、Bond Head Resolution： X-0.2um；Y-0.5um；Z-1.25um；5、Bond Head Speed：1.3m/s； Company Logo FOL– Die Attach 芯片粘接 Epoxy Write：Coverage 75%; Die Attach：Placement0.05mm; THANK YOU SUCCESS * * 可编辑 Company Logo FOL– Epoxy Cure 银浆固化 银浆固化： 175°C，1个小时；N2环境，防止氧化： Die Attach质量检查： Die Shear（芯片剪切力） Company Logo FOL– Wire Bonding 引线焊接 利用高纯度的金线（Au） 、铜线（Cu）或铝线（Al）把 Pad 和 Lead通过焊接的方法连接起来。Pad是芯片上电路的外接 点，Lead是 Lead Frame上的 连接点。 W/B是封装工艺中最为关键的一部工艺。 Company Logo FOL– Wire Bonding 引线焊接 Key Words： Capillary：陶瓷劈刀。W/B工艺中最核心的一个Bonding Tool，内部为空心，中间穿上金线，并分别在芯片的Pad和Lead Frame的Lead上形成第一和第二焊点； EFO：打火杆。用于在形成第一焊点时的烧球。打火杆打火形成高温，将外露于Capillary前端的金线高温熔化成球形，以便在Pad上形成第一焊点（Bond Ball）； Bond Ball：第一焊点。指金线在Cap的作用下，在Pad上形成的焊接点，一般为一个球形； Wedge：第二焊点。指金线在Cap的作用下，在Lead Frame上形成的焊接点，一般为月牙形（或者鱼尾形）； W/B四要素：压力（Force）、超声（USG Power）、时间（Time）、温度（Temperature）； Company Logo FOL– Wire Bonding 引线焊接 陶瓷的Capillary 内穿金线，并且在EFO的作用下，高温烧球； 金线在Cap施加的一定压力和超声的作用下，形成Bond Ball； 金线在Cap施加的一定压力作用下，形成Wedge； Company Logo FOL– Wire Bonding 引线焊接 EFO打火杆在磁嘴前烧球 Cap下降到芯片的Pad上，加Force和Power形成第一焊点 Cap牵引金线上升 Cap运动轨迹形成良好的Wire Loop Cap下降到Lead Frame形成焊接 Cap侧向划开，将金线切断，形成鱼尾 Cap上提，完成一次动作 Company Logo FOL– Wire Bonding 引线焊接 Wire Bond的质量控制： Wire Pull、Stitch Pull（金线颈部和尾部拉力） Ball Shear（金球推力） Wire Loop（金线弧高） Ball Thickness（金球厚度） Crater Test（弹坑测试） Intermetallic（金属间化合物测试） Size Thickness Company Logo FOL– 3rd Optical Inspection三光检查 检查Die Attach和Wire Bond之后有无各种废品 Company Logo EOL– End of Line后段工艺 Molding 注塑 EOL Laser Mark 激光打字 PMC 高温固化 De-flash/ Plati