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碲化镉层及后处理 硫化镉层 背接触 Part.3 制备工艺 PVD技术:该法可以控制沉积速率、组分以及掺杂浓度,但成本较高,工艺较难 CSS技术:镀膜速度快,容易获得高效率产品,均匀性设计对热场设计依赖性强,原材料更换需要特别设计,主要技术公开,后续器件工艺与其他技术兼容 VTD技术:镀膜速度快,均匀性高,产量大,材料利用率高,无需更换原材料,技术独有性强,后续器件工艺与其他技术兼容 溅射法:设备投入少,易调控,成本低,集成程度好 导致CdTe膜的再次结晶化和晶粒的长大,减少晶界缺陷 能够在CdTe和CdS之间形成 界面层,降低界面缺陷态浓度 热处理能够钝化缺陷、提高吸收层的载流子寿命 CdTe吸收层的后处理 碲化镉层及后处理 硫化镉层 背接触 Part.3 制备工艺 硫化镉薄膜制备方法大致有6种:化学水浴沉积法、溅射法、真空蒸发法、丝网印刷、金属-有机物化学气相沉积和近空间升华法。 化学水浴沉积法(CBD):设备简单,无需真空条件,所需温度较低,成本低且薄膜质量高,应用最为广泛。形成的薄膜附着与均匀性较好,但时间长、利用率低、污染大、不兼容等缺点不利于大面积大批量生产。 碲化镉层及后处理 硫化镉层 背接触 Part.3 制备工艺 表面化学腐蚀,形成p型重掺杂 与金属形成欧姆接触的半导体 肖特基缺陷 Part.4 提高电池性能的方法 玻璃衬底和TCO 减反膜和透过率更好的材料 硫化镉层 用其他材料替换,使窗口层和吸收层晶格匹配更好 背接触层 铜的扩散行为 碲化镉层 CdTe生长时通02,沉积后进行后处理增加载流子寿命 ? * * 碲化镉 太阳能电池 目录 发展历史 工作原理 制备工艺 提高电池性能的方法 产业现状和展望 Part.1 发展历史 Part.2 工作原理 * *
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