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2019-08-11 发布于河北
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N 沟道增强型功率MOSFET

8205A/8205B/8205C N 沟道增强型功率MOSFET 1. 描述引脚排列共漏极沟道增强型功率场效应管 N 8205A/8205B/8205C 具有快速开关、超低导通电阻和高性价比的特点。 8205A/8205B/8205C适用于设计电池保护或低压开关的电路。 2. 特点低导通电阻低驱动电流低栅极电压2.5V VB DSB =20V IB DB =6A @ VB GSB =4.5V （顶视） 8205A ： RDS(ON)B B32m @ V GSB =4.5VB Ω 8205B ： RB DS(ON)B35mΩ @ V B GSB =4.5V 8205C ： RB DS(ON)B38mΩ @ V B =4.5VB GS 3. 应用领域锂电池充电保护电源管理便携式设备负载开关 4. 框图 OCT. 2012 1 8205A/8205B/8205C 5. 订购信息工作温度范围（结温）封装订购型号包装数量 8205A TSSOP8 Pb-Free 8205B 100 片/管 8205C 8205ATR -55°C ~ +150°C TSSOP8 Pb-Free 8205BTR 4000 片/卷 8205CTR 8205AS6 SOT23-6 Pb-Free 8205BS6 3000 片/卷 8205CS6 6. 最大额定参数参数符号值单位漏源电压 VB DSB 20 V 栅源电压 VB GSB ±10 V 漏极电流，VB B =4.5V，@T =25°CB B IB B 6 A GS a D 漏极电流，VB B =4.5V，@T =70°CB B IB