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【南京南山半导体有限公司 — 长电贴片三极管选型资料】 JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors SOT-89-3L BCX69 TRANSISTOR (PNP) BASE 1. FEATURES For general AF applications 2. COLLECTOR High collector current High current gain Low collector-emitter saturation voltage 3. EMITTER Complementary type: BCX68 (NPN) MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage -25 V VCEO Collector-Emitter Voltage -20 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current -Continuous -1 A PC Collector Dissipation 0.8 W TJ Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature -65~150 ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions MIN TYP MAX UNIT Collector-base breakdown voltage V I =-10μA , I =0 -25 V