DW02A不需要外围元件的锂电池保护芯片.pdfVIP

DW02A/DW02B高精度内置 MOSFET 锂电池保护电路 概述 DW02A/DW02B 系列电路是一款高精度的单节内置 MOSFET 可充电锂电池的保护电路，它集高精度过电压 充电保护、过电压放电保护、过电流放电保护等性能于一身。 正常状态下，DW02A/DW02B 的 VDD端电压在过电压充电保护阈值 （V ）和过电压放电保护阈值 （V ） OC OD 之间，且其 V 检测端电压在充电器检测电压（V ）与过电流放电保护阈值（V ）之间，此时 DW02A/DW02B 使 M CHG EDI 内置N-MOS 管导通。这时，既可以使用充电器对电池充电，也可以通过负载使 电池放电。 DW02A/DW02B 通过检测 VDD 或 VM 端电压 （相对于 GND 端）来进行过充/放电保护。当充/放电保护条 内 件发生时， 置N-MOS 由导通变为截止，从而充/放电过程停止。 DW02A/DW02B 对每种保护状态都有相应的恢复条件，当 恢复条件满足以后，内置N-MOS 由截止变为导通， 从而 进入正常状态。 DW02A/DW02B 对每种保护/恢复条件都设置了一定的延迟时间，只有在保护/恢复条件持续到相应的时间以 后， 才进行相应的保护/恢复。如果保护/恢复条件在相应的 延迟时间以前消除，则不进入保护/恢复状态。 DW02A/DW02B 工作时功耗非常低，采用非常小的SOT23-5 的封装，使得该芯片非常适合应用于空间限制 小的可充电电池组应用。 本产品不适用与无线及射频信号排布及屏蔽太差的产品，另请客户使用本产品前务必做成品整机验证。 特性  单节锂离子或锂聚合物电池的理想保护电路  有0V 充电  内置低导通内阻 N-MOSFET  带有过充、过放自动恢复功能  高精度的过充电保护电压检测 4.275V±25mV  内部集成RC、内置MOSFET （无需任何外围  高精度的过放保护电压检测 2.425V±75mV 器件）  高精度过电流放电保护检测  超小型化的 SOT23-5 封装  电池短路保护  MOSFET:RSS(on)60mΩ(VGS 3.7V,ID 1A) 产品应用  锂电池的充电、放电保护电路  电话机电池或其它锂电池高精度保护器 订购信息 型号 封装形式 管脚数目 功能区别 DW02A SOT23-5 5 过温保护带载可自恢复，无需去除负载 DW02B SOT23-5 5 过温保护带载不可恢复，需去除负载 第 1 页 共 10 页 引脚示意图及说明 序号 引脚名称 I/O 说明 1 NC 空脚 2 GND POW 电源接地端，与供电电源 （电池）的负极相连。 3 VDD POW 电源输入端，与供电电源 （电池）的正极连接。 4、5 VM I 充/放电电流检测输入端 SOT23-5 功能框图 第 2 页 共 10 页 电压检测阈值及延迟时间 参数名称 DW02A/D