专升本《模拟电子技术》08001250考试20160618220320.docxVIP

专升本《模拟电子技术试20160618220320 ———————————————————————————————— 作者： ———————————————————————————————— 日期： [试题分类]:专升本《模拟电子技术》[题型]:单选 [分数]:2 1.直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( )。 A.电阻阻值有误差 B.晶体管参数的分散性 C.晶体管参数受温度影响 D.晶体管结电容不确定性 答案:C 2.稳压二极管的有效工作区是( )。 A.正向导通区 B.反向击穿区 C.反向截止区 D.死区 答案:B 3.如果在PNP型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工作状态为( )。 A.放大状态 B.微导通状态 C.截止状态 D.饱和状态 答案:D 4.集成放大电路采用直接耦合方式的原因是( )。 A.便于设计 B.放大交流信号 C.不易制作大容量电容 D.不易制作大阻值的电阻 答案:C 5.用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻，将使单端电路的( )。 A.抑制共模信号能力增强 B.差模放大倍数数值增大 C.差模输入电阻增大 D.差模输出电阻增大 答案:A 6.半导体中PN结的形成主要是由于（ ）生产的。 A. N区自由电子向P区的扩散运动 B. N区自由电子向P区的漂移运动 C. P区自由电子向N区的扩散运动 D. P区自由电子向N区的漂移运动 答案:A 7.理想的功率放大电路应工作于( )状态。 A.甲类互补 B.乙类互补 C.甲乙类互补 D.丙类互补 答案:C 8.NPN共射电路的Q点设置在接近于( )处将产生顶部失真。 A.截止区 B.饱和区 C.击穿区 D.放大区 答案:A 9.当有用信号的频率介于1500Hz与2000Hz之间时，应采用的最佳滤波电路是( )。 A.低通 B.高通 C.带通 D.带阻 答案:C 10.差动放大电路的特点是抑制( )信号，放大( )信号。 A.共模 共模 B.共模 差模 C.差模 差模 D.差模 共模 答案:B [试题分类]:专升本《模拟电子技术》[题型]:单选 [分数]:2 1.互补对称功率放大电路BJT工作在甲乙类、负载电阻为理想值，忽略UCES时的效率约为。() A.30% B.60% C.78.5% D.85% 答案:C 2.当PN给外加正向电压时，扩散电流漂移电流，此时耗尽层。() A.大于--变宽 B.小于--变宽 C.等于--不变 D.小于--变窄 答案:D 3.晶体管工作在饱和区时，b－e极间为，b－c极间为。() A.正向偏置--正向偏置 B.反向偏置--反向偏置 C.正向偏置--反向偏置 D.反向偏置--正向偏置 答案:A 4.双极型晶体管只有当其发射结处于，而且集电结处于时，才工作于放大状态。() A.正偏--正偏 B.正偏--反偏 C.反偏--正偏 D.反偏--反偏 答案:B 5.电路如图所示。若V1、V3管正负极同时接反了，则输出＿＿。() A.只有半周波形 B.无波形且变压器或整流管可能烧毁 C.全波整流波形 D.全波整流波形，但V2管承受2倍的电压 答案:D 6.效率与成本俱佳的整流方式是：。() A.全波整流 B.谐波整流 C.桥式整流 D.半波整流 答案:C 7.共源极场效应管放大电路其放大效果近似等价于双结晶体管放大电路。() A.共射极 B.共基极 C.共集电极 D.共栅极 答案:C 8.稳压型二极管的有效工作区在其伏安特性的。（） A.死区 B.正向导通区 C.反向区 D.反向击穿区 答案:D 9.本征半导体温度升高后。() A.自由电子数量增多 B.空穴数量增多 C.自由电子与空穴同时增多，且数量相同 D.自由电子与空穴数量不变 答案:C 10.有两个三极管，A管的＝200，=200A，B管的＝50，=10A，其他参数大致相同，则相比之下。() A.A管和B管的性能相当 B.A管的性能优于B管 C.B管的性能优于A管 D.条件不足，无法判断 答案:C 11.当一个三极管的IB=10A时，其IC=lmA，那么它的交流电流放大系数为:。() A.100 B.10 C.1 D.不确定 答案:D 12.当有用信号的频率高于5000Hz时，应采用的滤波电路是。() A.低通 B.高通 C.带通 D.带阻 答案:B 13.如图所示电路中，当二极管的输入电压Ua=Ub=5V时，输出Uo的值为:。() A.-5V B.-4.3V C.4.3V D.5.3V 答案:C 14.差分放大电路共模抑制比的大小反映了__________。() A.共模增益的大小 B.差模增益的大小 C.抑