电子技术基础(模拟部分)试卷一答案.doc

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试卷一答案 一、单项选择题(每空2分,共20分) 1、(C) 2、(B) 3、(D) 4、(D) 5、(A) 6、(D) 7、(D)8、(A) 9、(C) 10、(C) 二、填空题(每空1分,共30分) 互阻放大、互导放大 掺杂、光照 Au≤1(或放大倍数小于等于1,输出电压与输入电压同相位)、ri高、ro低 BJT的极间电容不可忽略 可变电阻区、恒流区(饱和区)(线性放大区)、击穿区 偏置电流(输入电流)、有源负载 差分式放大电路、抑制共模信号 uid=100uv、uic=0uv 稳定输出电压(或减小输出电阻)、稳定输出电流(增大输出电阻) 10、选频滤波、提高带负载能力 11.振幅平衡条件、相位平衡条件(注:可用公式表达) 12、放大器、选频网络、正反馈环节、稳幅电路 13、基准环节、比较环节、调整环节 三、分析题(共20分) 1答:线性失真:是由于线性电抗元件所造成的。 (2分) 非线性失真:是由于元器件特性的非线性造成的。 (2分) 交越失真:是由于互补对称电路中两对称管的iB必须在| UBE |大于某一数值时,才能越过死区,uo才正常反映ui的变化,如无法越过死区,则产生交越失真。 (2分) 2、作出四种MOSFET的符号:(每种1分,共4分) D D G G B S S N沟道增强型MOS P沟道增强型MOS G N沟道耗尽型MOS P沟道耗尽型MOS DD D D G G BB B B SSS SS S 3、答:(1)T3组成前置放大级,Re3为电流反馈,配合D1、D2在其上产生一定的压降,给T1、T2提供一个合适的偏置,使T1、T2在静态时处于微导通状态,输入电信号后,避免交越失真。 (5分) (2)T1和T2对接组成互补输出级,可消除T1和T2的非线性失真.同时T1和T2轮流导通工作,可提高电路的工作效率。 (3分) (3)T1导通时,+Ucc提供直流电源能量;T2导通时,-Ucc提供直流电源能量。 (2分) 四、计算题(共30分) 1解:先进行静态分析,求UBQ→UEQ→IEQ(ICQ)→IBQ→UCEQ (1)∵UBQ≈(RB2/RB2+RB1)UCC= (2.5/10+2.5)×15=3V (2)∴UEQ=UBQ- UBE=3-0.7=2.3V ∴IEQ=UEQ/RE=2.3/750Ω≈3mA≈ICQ 【ICQ≈IEQ=UEO/RE=(UBQ-UBE)/RE=UBQ/RE=3V/750Ω=4mA】 (3)∴IBQ= ICQ/β=3/150=0.02MA= 20uA 【IBQ=ICQ/β=4mA/150=27μA】 (4)∴UCEQ=Ucc-IcRc-IERE==Ucc-(Rc+RE)IEQ=15v-(2kΩ+750Ω)×3mA =15v-2.75 kΩ×3mA=6.75V (1分) 【=4V】 动态分析:【用第二套值计算】 (1)求Au、ri、ro

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