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ICS 31.080
L00
中华人民共和国国家标准
GB/T XXXX.5—XXXX
电子元器件 半导体器件长期贮存
第5 部分:芯片和晶圆
Electronic components—Long-term storage of electronic semiconductor devices—
Part 5 :Die and wafer devices
(IEC 62435-5:2016,IDT)
(征求意见稿)
(本稿完成日期:2019)
XXXX - XX - XX 发布 XXXX - XX - XX
GB/T XXXX.5—XXXX
目 次
前言 III
1 范围 1
2 规范性引用文件 1
3 术语、定义和缩略语 1
3.1 术语和定义 1
3.1.1 1
3.1.2 1
3.1.3 1
3.2 缩略语 1
4 贮存要求 2
4.1 总则 2
4.2 装配数据 2
4.3 贮存的必备条件 2
4.4 长期贮存过程中裸芯片产品的损坏 2
4.5 贮存中的机械防护 2
4.6 长期贮存环境 2
4.7 推荐的惰性气体纯度 3
4.8 化学污染 3
4.9 真空包装 3
4.9.1 总则 3
4.9.2 真空干燥包装 4
4.10 正压包装 4
4.11 牺牲性包装材料的使用 4
4.12 可降解材料的使用 4
4.13 等离子体清洗 4
4.14 静电影响 4
4.15 辐照防护 4
4.16 贮存芯片产品的周期性检验 4
5 长期贮存失效机理 5
6 长期贮存的注意事项、方法、验证和限制 5
6.1 总则 5
6.2 晶圆 5
6.3 裸芯片 6
7 裸芯片和晶圆特有的失效机理 7
7.1 引线键合强度 7
I
GB/T XXXX.5—XXXX
7.2 污渍7
7.3 表层剥落7
8 详细操作要求7
8.1 晶圆薄膜框上的芯片7
8.2 芯片盒或穿孔带贮存7
8.3 操作损伤7
附录A (资料性附录) 审查检查表 9
表A.1 (续)规划清单10
参考文献11
II
GB/T XXXX.5—XXXX
前 言
《电子元器件半导体器件长期贮存》由以下部分组成:
——第1 部分:总则;
——第2 部分:失效机理;
——第3 部分:数据;
——第4 部分:贮存;
——第5 部分:芯片和晶圆;
——第6 部分:封装的或镀层的器件;
——第7 部分:MEMS;
——第8 部分:无源电子器件;
——第9 部分:特殊管壳。
本部分是该系列标准中的第5 部分。
本部分依据GB/T 1.1—2009给出的规则起草。
本部分使用翻译法等同采用 IEC 62435-5:2016 《电子元器件 半导体器件长期贮存 第 5 部分:芯
片和晶圆》。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机
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