某公司功率器件封装工艺课件.ppt

热阻的工艺控制 —测试筛选 晶体管的热阻测试原理： 在一定范围内pn结的正向压降Vbe 的变化与结温度的变化△T有近似线性的关系： △Vbe＝k△T 对于硅pn结，k约等于2，热阻的计算公式为： Rth＝△T/P 只需加一个稳定的功率，测量晶体管的△Vbe即可计算出晶体管的热阻 RT。 热阻测试筛选设备的优点 进行热阻测试筛选，我们用的是日本TESEC的△Vbe测试仪 。 热阻测试筛选设备的优点 △Vbe测试仪的性能参数及优点： 测试精度：0.1mV 脉冲时间精确度：1us 最高电压：200V 最大电流：20A 优点： 1.精度高，且精度高可达到0.1mV，重复性好。 2.筛选率高 热阻测试筛选设备的优点 优点2：筛选率高 如粘片有空洞，脉冲测试在很短功率脉冲内，由于热量来不及传导，有空洞的地方就会形成一个热点（即温度比粘结面其他地区高出很多的小区域）（如右图示 ）。 热点处温度高，Vbe将比其他地方的Vbe变化大。整个pn结的△Vbe将主要受热点处的△Vbe的影响，因此，有空洞的管子的△Vbe比正常管子的△Vbe要大很多。 我公司产品的热阻特点 通过测量△Vbe，再经过公式 Rth＝ △Vbe /KP 我公司典型产品值： 控制“虚焊” —造成虚焊的因素与对策措施 _ X 控制“虚焊”的措施 压焊工序对引线拉力进行了严格的控制 塑封气密性的工艺控制 产品性价比 1、材料的选用 2、先进的工艺制程 3、严格的生产过程控制 材料的选用 1.供应商均经过评价认证 2.品质好价格高的材料 先进的工艺制程 一、净化厂房，洁净度10000级，避免了粉尘灰粒的粘污 二、全自动的粘片、压焊机，并有氮氢气保护 三、所有产品经过高温老化，性能更稳定更可靠 四、精度高、稳定性好的测试筛选设备， DTS-1000 ， △Vbe 产品的特点 1、电流特性好，饱和压降小，在输出相同的功率下，晶体管消耗的功率小，发热量低 2、产品种类型号丰富，专门针对节能灯、电子镇流器进行设计 封装形式：TO-92、TO-126、TO-220、 TO-262、TO-263、TO251 带抗饱和电路的系列 L(低电压)系列晶体管 3、可靠性高 如高低温循环（-50℃～150℃） 冰沸水浸泡试验 功率老化 4、本公司生产芯片，保证质量及芯片货源 产品的特点 今后发展 后封装扩建搬迁项目 绿色环保塑封料 谢谢！ 深爱半导体--封装部 结束语 至诚至爱，共创未来 SI SEMI. 至诚至爱，共创未来 SI SEMI. 2 主要内容 主要内容介绍 一、功率器件后封装工艺流程 二、产品参数一致性和可靠性的保证 三、产品性价比 四、今后的发展 功率器件后封装工艺流程 划片 粘片 压焊 塑封 老化 打印 管脚上锡 测试 切筋 检验 包装 入库 Die bonding Die saw wire bonding molding marking Heat aging plating segregating Testing Inspection Packing Ware house 功率器件后封装工艺流程 ——划片 划片 圆硅片 划片及绷片后的圆片 划片：将圆片切割成单个分离的芯片 划片特点：日本DISCO划片机，具有高稳定性，划片刀的厚度25um，芯片损耗小。 日本DISKO划片机 功率器件后封装工艺流程－划片车间 功率器件后封装工艺流程 ——粘片 （将单颗芯片粘结到引线框架上） 实物图 划片 粘片 压焊 塑封 打印 我公司粘片的特点 1、自动粘片机，芯片和引线框架的粘结牢固，一致性好。 2、优质的框架及焊接材料使用，获得良好的热学和电学特性。 3、芯片与框架的热匹配性良好，芯片和框架之间的应力达到最小，热阻小，散热性好。 4、氮氢气体保护，避免高温下材料氧化。 功率器件后封装工艺流程——粘片车间 粘片员工在认真操作 功率器件后封装工艺流程——粘片车间 全新的TO-220粘片机 功率器件后封装工艺流程-压焊 压焊：用金丝或铝丝将芯片上的电极跟外引线（框架管脚）连接起来。 金丝－金丝球焊 铝丝－超声波焊 压焊示意图 划片 粘片 压焊 塑封 打印 压焊的特点 1、自动压焊机，一致性好，焊点、弧度、高度最佳，可靠性高。 2、根据管芯的实际工作电流选择引线直径规格