PPT微电子封装技术讲义06.07[一].pptVIP

ESP公司的低成本焊凸点倒装芯片NuCSP ESP公司低成本芯片尺寸封装NuCSP适用于存储器芯片和引出端数不多的ASIC。它适用于低功耗和低引出端数的芯片。 它的特点如下： PCB是一个单芯双面布线板。 从管芯下的基板上的周边焊盘引出的印制线在基板上向中间进行再分布。 再分布印制线通过通孔和封装基板底层上的铜焊盘相连。 封装体尺寸约等于管芯尺寸+1mm。 它和SMT兼容，并具有自对准特性。 采用下填料，倒装芯片上的焊凸点是可靠的。 因为TEM比较小，PCB上的焊接点是可靠的。 NuCSP的力学性能 对于使用下填料的焊凸点倒装芯片，在蒸汽老练20h后，基剪切力不公公从65.5kgf下降到62.2kgf.无论是干燥条件还是蒸汽老炼条件硅芯片分裂成许多小块，其中一些保留在BT基板上，这说时下填料具有良好的粘附性。 NuCSP的电学性能 在干燥条件下，对于使用下填料的芯片和没有使用下填料的芯片其电压读数几乎没有区别。同样，对于使用下填料的焊凸点倒装芯片，在20h蒸汽老炼前后其电压读数的变化也不大。 IBM公司的陶瓷小型焊球阵列封装（Mini-BGA） 陶瓷Mini-BGA是一种使用刚性基板的芯片尺寸封装。这种封装之所以被认为是CSP是因为它采用窄节距封装I/O，而不是因为它的封装/芯片尺寸比。除了引出端节距和焊球材料，这种封装和常规CBGA非常相似。 Mini-BGA主要应用于高速于关器件，除了一个有源硅芯片，在每上封装的中间支撑层上还组装有16个去耦电容器。能够将多达12个的Mini-BGA模块和1个时钟模块组装在一个Teflon转换卡瞎种卡是设计用来控制速度高达200MHz的多处理器卡之间的信号转换的。 3.引线框架式（LOC型CSP） LOC(Lead Over Chip，芯片上引线)型CSP是日本富士通公司开发的一种新型结构，分为Tape（带式）-LOC型和MF-LOC型（Multi-frame-LOC，引线框架式）两种形式。 这两种形式的LOC型CSP都是将LSI芯片安装在引线框架上制作而成的。芯片面朝下，芯片下面的引线框架仍然作为外引脚暴露在该封装结构外面。因此，不需制作工艺复杂的焊料凸点，可实现芯片与外部的互连，其内部布线很短，仅1.0㎜左右。CSP-26的电感只有TSOP-26的1/3左右，其热阻，在相同条件下，TSOP-26为36℃/W，而CSP-26仅为27℃/W。 Fujitsu 公司的小外形无引线/C形引线封装（SON/SOC） SOC封培育是基于MF-LOC技术的无引线塑料包封CSP。把SON的引线延长并环绕到封装的背面，便形成了SOC。两种封装的一级和二级互连都分别是引线键合和电镀的平面焊盘。 除了定制设计的引线框架外，包封模塑料是SON/SOC封装制造中基本的成分。一种改进的高填充的模塑树脂保证了高温下的封装可靠性。 通过鉴定试验比较，证明了SON和SOC的封装可靠性，它们具有像传统塑料封装一样的可靠性。 Fujitsu 公司的MicroBGA和四边无引线扁平封装（QFN） Fujitsu 公司的MicroBGA和QFN是基于引线框架的无外部引线的CSP。两种封装都采用多丝键合作为一级内部互连，对于板级互连， MicroBGA采用全排列的焊球阵列，而QFN则使用四周排列的镀焊料平坦焊盘。除了在引出端图形方面的差异， MicroBGA在引线框架顶部有一层附加的叠加树脂层，用于把四周引线键合焊盘进行线路再颁，连接到面阵列底部的引出端。虽然两种封装具有同样的引线节距，但它们的引出端数针对不同范围的。 蚀刻法形成引出端是实现这两种封装的核心技术。这项技术需要一种镀镍的铜引线框架，基特征是在模塑包封后进行背面蚀刻。已经证明蚀刻引线框架能产生精确的引出端图形，因此可望得到小于0.8mm的窄引线节距。 4.焊区阵列CSP(LGA型CSP) LGA(Land Grid Array，焊区阵列)型CSP是日本松下电子工业公司开发的新型产品 。 主要由LSI芯片、陶瓷载体、填充用环氧树脂和导电粘接剂等组成。用金丝打球法在芯片的焊区上形成Au凸点。FCB时，在PWB或其他基板的焊区上印制导电胶，然后将该芯片的凸点适当加压后，再对导电胶固化，就完成了芯片与基板的互连。导电粘接剂由Pd-Ag粉与特殊环氧树脂组成，固化后保持一定弹性。因此，即使有应力加于结合处，也不易受损。 LGA LGA 5 .圆片级再分布CSP ChipSeale公司的微型SMT封装（MSMT） MSMT是一种所有制造工序均在圆片上完成的圆片级CSP。该封装只能和来封装那些键合块为四周分布的I