氮化处理与介面工程於高介电材料金氧半元件之探讨.pdf

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2019-11-08 发布于天津
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2 Electrical Characteristics of Metal-Oxide- Semiconductor Devices by Nitridation treatment and Interfacial Engineering on High-K Dielectrics / (ZrO ) (Al O ) 2 2 3 (Capacitance Equivalent Thickness, CET) (Jg) (Dit) / 450 ZrO Si Al O 2 2 3 (NH3) (Dangling Bonds) Pt/ZrO /Al O /Si NH 2 2 3 3 -5 -2 11 -2 -1 J (3.43 10 Acm ) Dit(3.35 10 cm eV ) g CET(1.09 nm) 800 NH ZrO /Al O 3 2 2 3 Abstract The gate dielectric stack composed of the tetragona l/cubic ZrO and Al O buffer 2 2 3 layer was investigated to reduce the capacitance equivalent thickness (CET), leakage