soc工艺课件 双阱CMOS工艺.ppt

双阱CMOS工艺制造流程 半导体制造：硅氧化、光刻、刻蚀、扩散、离子注入、薄膜淀积。 局部氧化工艺 (LOCOS: LOCal Oxidation of Silicon)：场氧化层覆盖整个硅片，通过厚的场氧化层来隔离CMOS器件。（0.25μm） 浅槽隔离工艺 (STI: Shallow Trench Isolation)：通过刻蚀一定深度的沟槽，再进行侧墙氧化，实现CMOS器件的隔离。（0.25μm） LOCOS相对更容易理解CMOS工艺的制造流程。 简化的LOCOS流程：N阱→P阱→有源区→栅→pmos源/漏→nmos源/漏→接触孔→金属1 →通孔1 →金属2 晶片 1-N阱(N-Well) N阱的制作 衬底上生长SiO2 涂敷光刻胶 1-N阱(N-Well) N阱的制作 衬底上生长SiO2 涂敷光刻胶 曝光 N阱掩膜版 显影 N阱区域暴露 1-N阱(N-Well) N阱的制作 衬底上生长SiO2 涂敷光刻胶 曝光 N阱掩膜版 显影 N阱区域暴露 N型离子注入 磷离子等 去除光刻胶 2-P阱(P-Well) P阱的制作 涂敷光刻胶 2-P阱(P-Well) P阱的制作 涂敷光刻胶 曝光 P阱掩膜版 显影 P阱区域暴露 2-P阱(P-Well) P阱的制作 涂敷光刻胶 曝光 P阱掩膜版 显影 P阱区域暴露 P型离子注入 硼离子等 去除光刻胶 2-P阱(P-Well) P阱的制作 涂敷光刻胶 曝光 P阱掩膜版 显影 P阱区域暴露 P型离子注入 硼离子等 去除光刻胶 刻蚀氧化层 3-有源区(Active) 有源区的制作 淀积SiN 在SiN上涂敷光刻胶 3-有源区(Active) 有源区的制作 淀积SiN 在SiN上涂敷光刻胶 曝光 有源区掩膜版 显影 有源区暴露 3-有源区(Active) 有源区的制作 淀积SiN 在SiN上涂敷光刻胶 曝光 有源区掩膜版 显影 有源区暴露 刻蚀SiN 有SiN的地方会阻止场氧生长 3-有源区(Active) 有源区的制作 淀积SiN 在SiN上涂敷光刻胶 曝光 有源区掩膜版 显影 有源区暴露 刻蚀SiN 有SiN的地方会阻止场氧生长 去除光刻胶 生长场氧化层 (FOX) 热氧化方法 隔离器件 3-有源区(Active) 有源区的制作 淀积SiN 在SiN上涂敷光刻胶 曝光 有源区掩膜版 显影 有源区暴露 刻蚀SiN 有SiN的地方会阻止场氧生长 去除光刻胶 生长场氧化层 (FOX) 热氧化方法 隔离器件 去除SiN 4-栅(Gate) 栅的制作 生长栅氧化层 整个硅片上 可忽略场在氧化层上的生长 4-栅(Gate) 栅的制作 生长栅氧化层 整个硅片上 可忽略场在氧化层上的生长 淀积多晶硅 涂敷光刻胶 4-栅(Gate) 栅的制作 生长栅氧化层 整个硅片上 可忽略场在氧化层上的生长 淀积多晶硅 涂敷光刻胶 曝光 多晶硅掩膜版 显影 多晶硅暴露 刻蚀多晶硅 4-栅(Gate) 栅的制作 生长栅氧化层 整个硅片上 可忽略场在氧化层上的生长 淀积多晶硅 涂敷光刻胶 曝光 多晶硅掩膜版 显影 多晶硅暴露 刻蚀多晶硅 刻蚀栅氧化层 栅下的氧化层受多晶硅保护，未被刻蚀 5-pmos的源/漏 (pmos Source/Drain) pmos源/漏的制作 涂敷光刻胶 5-pmos的源/漏 (pmos Source/Drain) pmos源/漏的制作 涂敷光刻胶 曝光 P型注入掩膜版 显影 P型注入区域暴露 5-pmos的源/漏 (pmos Source/Drain) pmos源/漏的制作 涂敷光刻胶 曝光 P型注入掩膜版 显影 P型注入区域暴露 注入P型掺杂 去除光刻胶 6-nmos的源/漏 (nmos Source/Drain) nmos源/漏的制作 涂敷光刻胶 6-nmos的源/漏 (nmos Source/Drain) nmos源/漏的制作 涂敷光刻胶 曝光 N型注入掩膜版 显影 N型注入区域暴露 6-nmos的源/漏 (nmos Source/Drain) nmos源/漏的制作 涂敷光刻胶 曝光 N型注入掩膜版 显影 N型注入区域暴露 注入N型掺杂 去除光刻胶 7-接触孔 (Contact) 接触孔的制作 淀积氧化层 涂敷光刻胶 7-接触孔 (Contact) 接触孔的制作 淀积氧化层 涂敷光刻胶 曝光 接触孔掩膜版 有源区和栅的接触孔使用同一层掩膜版 显影 接触孔区域暴露 7-接触孔 (Contact) 接触孔的制作 淀积氧化层 涂敷光刻胶 曝光 接触孔掩膜版 有源区和栅的接触孔使用同一层掩膜版 显影 接触孔区域暴露 刻蚀氧化层 7-接触孔 (Contact) 接触孔的制作 淀积氧化层 涂敷光刻胶 曝光 接触孔掩膜版 有源区和栅的接触孔使用同一层掩膜版 显影 接触孔区域