电子技术基础模拟部分(第六版)ch04.ppt

《电子技术基础》;电子技术基础模拟部分;4 场效应三极管及放大电路;场效应管的分类：;4.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三极管;4.1.1 N沟道增强型MOSFET;4.1.1 N沟道增强型MOSFET;4.1.1 N沟道增强型MOSFET;4.1.1 N沟道增强型MOSFET;2. 工作原理; 当VDS增加到使VGD=VTN 时，在紧靠漏极处出现预夹断。;预夹断后，VDS?;（3）VDS和VGS同时作用时;以上分析可知;3. I-V 特性曲线及大信号特性方程;② 可变电阻区 vDS （vGS－VTN）;② 可变电阻区 ;③ 饱和区 （恒流区又称放大区）;（2）转移特性;4.1.2 N沟道耗尽型MOSFET;4.1.2 N沟道耗尽型MOSFET;4.1.3 P沟道MOSFET;4.1.3 P沟道MOSFET;4.1.4 沟道长度调制等几种效应;4.1.4 沟道长度调制等几种效应;4.1.4 沟道长度调制等几种效应;4.1.4 沟道长度调制等几种效应;4.1.4 沟道长度调制等几种效应;4.1.5 MOSFET的主要参数;4.1.5 MOSFET的主要参数;4.1.5 MOSFET的主要参数;4.1.5 MOSFET的主要参数;4.1.5 MOSFET的主要参数;4.2 MOSFET基本共源极放大电路;4.2.1 基本共源极放大电路的组成;4.2.1 基本共源极放大电路的组成;4.2.2 基本共源放大电路的工作原理;4.2.2 基本共源放大电路的工作原理;4.2.2 基本共源放大电路的工作原理;4.2.2 基本共源放大电路的工作原理;4.2.2 基本共源放大电路的工作原理;例4.2.1;4.2.2 基本共源放大电路的工作原理;4.2.2 基本共源放大电路的工作原理;4.2.3 放大电路的习惯画法和主要分析法;4.2.3 放大电路的习惯画法和主要分析法;4.2.3 放大电路的习惯画法和主要分析法;4.3 图解分析法;4.3.1 用图解方法确定静态工作点Q;4.3.1 用图解方法确定静态工作点Q;4.3.2 动态工作情况的图解分析;4.3.2 动态工作情况的图解分析;4.3.2 动态工作情况的图解分析;4.3.2 动态工作情况的图解分析;4.3.3 图解分析法的适用范围;4.4 小信号模型分析法;4.4 小信号模型分析法;4.4.1 MOSFET的小信号模型;4.4.1 MOSFET的小信号模型;4.4.1 MOSFET的小信号模型;4.4.1 MOSFET的小信号模型;4.4.1 MOSFET的小信号模型;4.4.1 MOSFET的小信号模型;4.4.1 MOSFET的小信号模型;4.4.1 MOSFET的小信号模型;4.4.2 用小信号模型分析共源放大电路;例4.4.1;解：（1）静态工作点;解：（2）动态指标;解：（2）动态指标;解：（2）动态指标;4.4.3 带源极电阻的共源极放大电路分析;4.4.3 带源极电阻的共源极放大电路分析;;;;;4.4.3 带源极电阻的共源极放大电路分析;4.4.3 带源极电阻的共源极放大电路分析;4.4.4 小信号模型分析法的适用范围;4.5 共漏极和共栅极放大电路;4.5.1 共漏极（源极跟随器）放大电路;4.5.1 共漏极（源极跟随器）放大电路;4.5.1 共漏极（源极跟随器）放大电路;4.5.1 共漏极（源极跟随器）放大电路;4.5.2 共栅极放大电路;4.5.2 共栅极放大电路;4.5.2 共栅极放大电路;4.5.3 MOSFET放大电路三种组态的总结和比较;4.5.3 MOSFET放大电路三种组态的总结和比较;4.6 集成电路单级MOSFET放大电路;4.6.1 带增强型负载的NMOS放大电路;4.6.1 带增强型负载的NMOS放大电路;4.6.1 带增强型负载的NMOS放大电路;4.6.1 带增强型负载的NMOS放大电路;4.6.1 带增强型负载的NMOS放大电路;4.6.2 带耗尽型负载的NMOS放大电路;4.6.2 带耗尽型负载的NMOS放大电路;4.6.3 带PMOS负载的NMOS放大电路(CMOS共源放大电路);4.6.3 带PMOS负载的NMOS放大电路(CMOS共源放大电路);4.7 多级放大电路;4.7.1 共源?共漏放大电路; 例4.7.1;1. 静态分析; 例4.7.1;2. 动态分析;4.7.2 共源?共栅放大电路;需验证是否工作在饱和区; 例4.7.2;2. 动态分析;4.8 结型场效应管（JFET）及其放大电路;4.8.1 JFET的结构和工