氘在C及C-Si射频溅射共沉积层中的滞留特性研究.pdf

氘在C及C—Si射频溅射共沉积层中的滞留特性研究 A ondeuteriumretentionincarbonand study carbon--siliconfilms RF formed CO--deposited by sputtering 作 者：张卫媛 指导老师：施立群教授 单位：复旦大学现代物理研究所 地址：上海市邯郸路220号，200433 1 E—mail：102020000 1@fudan．edu．cn 万方数据 脲 、0㈣ 摘：要………………………………………………………………………………………………………………………………．．1 第一章绪论………………………………………………………………………………………4 1．1研究背景及意义…………………………………………………………………………4 1．2聚变反应堆面壁材料与等离子体的相互作用(PwI)…………………………………．．5 1．3PFMs的性能要求和选择………………………………………………………………．．9 1．4 C／Si—C材料在聚变中的应用…………………………………………………………．．11 1．5H在PFMs中的滞留……………………………………………………………………12 1．6H同位素滞留的研究介绍……………………………………………………………．．13 1．7选题依据羽1研究内容…………………………………………………………………．14 第二章样品的制备方法和表征手段…………………………………………………………一16 2．1样品的制备方法………………………………………………………………………一16 2．1．1磁控溅射技术介绍………………………………………………………………16 2．1．2制备条件…………………………………………………………………………17 2．2样晶的表征……………………………………………………………………………．．17 2．2．1离子束分析方泫(RBS、ERD)………………………………………………18 2．22热脱附谱(TDS)………………………………………………………………．20 2．2．5扫描电Ji显微镜(SEM)………………………………………………………21 第三章含D碳．硅薄膜的制备及D的滞留特性研究…………………………………………23 3．1弓I高………………………………………………………………………………………．………………………．．23 3．2样品的制备……………………………………………………………………………23 3．3薄膜样晶的结构分析…………………………………………………………………．．25 3．4样品的成分和D滞留分析……………………………………………………………．28 3．5薄膜样品的热脱附谱(TDS)…………………………………………………………38 3．6SEM观测结果…………………………………………………………………………．34 3．7小结…………………………………………………………………………………………………………………．34 第四章含D的碳薄膜的制备和D的滞留研究………………………………………………36 4