P型ZnO薄膜制备和掺杂的研究进展.pdf

■ 单晶谭天亚崔春阳江雪陈俊杰 (辽宁大学物理学院，沈阳市光电子功能器件与检测技术重点实验室，辽宁沈阳110036) Shan Tan Cui XueChen Jing rI钆mya ChunyangJiang Ju川ie ／ (羔嬲瓮=怒嚣警～一俐一撕～㈣～冶锄搬一～沏’) ＼繇叨删，L钯D疵哪!10036，a渤m 稽4 篓‰O作为第兰饯半导体功能材料，一直受到鹜内外的广泛关注。离质量的p型掺杂是基予光电器件应甩的 关键。综述了获得p型孤O薄膜的制备方法和掺杂技术的研究进展，讨论了目前生长高质量的p型zn0 薄膜存在的困难，并对不同方法制备的p型孙0薄膜的特点进行了比较分析。 关键词光学材料；孙O薄膜；制备方法；p型掺杂；p—n结 A蛔缸毽ctZn0ismethird semiconductor hasa髓陷ctedmucha钍emionaf generation functiona}ma治rial，and homeand isthe to deVices．The abroad．HighqualItyp—typedoplng key deveIopoptoelecifonic of and for ZnOthinfi|mswas lhe p阳gressdeposltjondopingtechniquesp—type summarized，and ZnO怕in锚mswasdiscus8ed．ThecharactefiSticsof dif|icu时ofgrowlnghlghqual时p—type p—type ZnOthlnf．ImsfabrlcatecIdifferentmethodswere by cOmpafed． thin node 1鲫wordsopticalmateriaI；ZnO f．1m；aeposition毒echnique；p-typedoplng；p—n 中图分类号。蝎哇．4 l引言 的生长技术还不成熟，大大影响了对ZIlO薄膜p型掺 孙O是一种具有六角纤锌矿结构的自激活宽禁 带半导体材料，室温下禁带宽度为3．37eV，它的激子 发射以来，zno薄膜的制备及其光电子特性成为人们 结合能高达60mev。孙O薄膜具有优异的光电性能， 的研究热点。实现znO基光电器件的关键技术是制备 在紫外探测器、发光二极管(LED)、激光器、表面声波出优质的p型zIlO薄膜，国内外对此进行了大量的报 器件、太阳能电池等诸多领域得到广泛应用。孙O原 道。本文结合国内外的研究成果，探讨p型踟O薄膜 料易得、价格低廉、无毒，具有商业价值，因此，zIlO薄 的制备和掺杂技术的研究进展及其存在的关键问题， 膜受到国内外学术界的广泛关注。 并对不同方法制备的p型zno薄膜的特点进行了比 盈D薄膜的p型掺杂很早便引起了人们的注意， 较分析。 但由于Zno中存在较多的本征施主缺陷，如间隙锌