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LED 主要参数与特性
LED 是利用化合物材料制成 pn 结的光电器件。它具备 pn 结结型器件的电学特性：
I-V 特性、C-V 特性和光学特性：光谱响应特性、发光光强指向特性、时间特性以及热
学特性。
1、LED 电学特性
1.1 I-V 特性 表征 LED 芯片pn 结制备性能主要参数。LED 的I-V 特性具有非线性、
整流性质：单向导电性，即外加正偏压表现低接触电阻，反之为高接触电阻。
如左图：
I
(1) 正向死区：（图
IF ′
oa 或 oa ′段）a 点对
于 V0 为开启电压，
′ 当V ＜Va ，外加电场
V R 0
V F V 尚克服不少因载流
击 反向死区 工作区
穿 正向死区 子扩散而形成势垒
区
电场，此时R 很大；
IR
开启电压对于不同
图 I-V 特性曲线
LED 其值不同，
GaAs 为 1V，红色 GaAsP 为 1.2V，GaP 为 1.8V，GaN 为 2.5V 。
（2 ）正向工作区：电流IF 与外加电压呈指数关系
IF = IS (e qVF/KT –1) IS 为反向饱和电流 。
V ＞0 时，V ＞VF 的正向工作区IF 随VF 指数上升 IF = IS e qVF/KT
（3 ）反向死区 ：V ＜0 时pn 结加反偏压
V= - VR 时，反向漏电流 IR （V= -5V ）时，GaP 为 0V，GaN 为 10uA。
（4 ）反向击穿区 V ＜- VR ，VR 称为反向击穿电压；VR 电压对应IR 为反向漏电流。当
反向偏压一直增加使 V ＜- VR 时，则出现 IR 突然增加而出现击穿现象。由于所用
化合物材料种类不同，各种 LED 的反向击穿电压VR 也不同。
C 1.2 C-V 特性
C 0 鉴于LED 的芯片有9 ×9mil (250
×250um) ，10×10mil，11×11mil (280
C 0 ′
×280um) ，12×12mil (300×300um)，
V 故 pn 结面积大小不一，使其结电容
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