- 1、本文档共40页,可阅读全部内容。
- 2、有哪些信誉好的足球投注网站(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
2.1 等离子化学气相沉积 ( P-CVD ): 辉光放电 形成低温等离子体 激活化学气相沉积反应 * 高能量 2.2 等离子体在CVD中的作用: 降低反应温度:将反应物气体分子激活成活性离子; 提高成膜速率:加速反应物在表面的扩散作用; 提高薄膜和基片的附着力:对基片和薄膜具有溅 射清洗作用,溅射掉结合不牢的粒子; 薄膜的厚度均匀:由于原子、分子、离子和电子 相互碰撞 * 2.3 P-CVD的优点: 低温成膜(300-350℃): 对基片影响小,避免高温带来的膜层晶粒粗大 及膜层和基片间形成脆性相; 提高薄膜质量: 膜厚及成分较均匀、膜层致密 扩大CVD应用范围: 金属、无机、有机聚合物 * (三) MOCVD 利用有机金属化合物的热分解反应进行气相外延生长薄膜的CVD技术。 3.1 原料化合物必须满足: 常温下稳定且容易处理 反应的副产物不应妨碍晶体生长,不应污 染生长层; 室温附近应具有适当的蒸气压 * 满足此条件的原材料有: 金属的烷基或芳基衍生物 烃基衍生物 乙酰丙酮基化合物 羰基化合物 * 3.2 MOCVD的优点: ① 沉积温度低: 减少了自污染,提高了薄膜纯度;对衬底取向要求低; ② 沉积速率易于控制: 沉积过程不存在刻蚀反应; ③ 制备广; ④ 反应装置容易设计: 生长温度范围较宽,易于控制,可大批量生产; * 3.3 MOCVD的主要缺点: 安全问题: 杂质: 反应温度低,有些金属有机化合物在气相中就 发生反应,生成固态微粒再沉积在衬底表面, 形成薄膜中的杂质颗粒,破坏膜的完整性。 * 一些碳化物、氮化物、硅化物、硼化物的沉积条件 * 化学气相沉积——习题和思考题 CVD技术合成材料的原理? CVD反应体系必须具备的条件? CVD化学输运反应沉积法的原理及应用? 冷壁CVD、热壁CVD的区别及特点? P-CVD和MO-CVD工作原理? * * * 第五章 气相沉积法 * 第一节 概述 一、气相沉积技术(vapor deposition) 通过气态物质或使材料气化后,使其沉积于固体材 料或制品(基片)表面并形成固态沉积物的技术。 * 二、气相沉积技术类型: 2.1 物理气相沉积:(PVD) (1)蒸发冷凝 (2)溅射镀膜 (3)离子镀膜 2.2 化学气相沉积:(CVD) (1)常压、低压CVD (APCVD, LPCVD) (2)等离子辅助CVD (PCVD) (3)激光(电子束)辅助CVD (LCVD) (4)有机金属化合物CVD (MOCVD) * * 原材料被加热至蒸发温度时蒸发成气相; 气相的原材料原子与惰性气体的原子(或分子)碰撞,迅速降低能量而骤然冷却; 骤冷使得原材料的蒸汽中形成很高的局域过饱和,有利于成核; 形成原子簇,然后继续生长成纳米微晶 在收集器上收集 三、物理气相沉积 3.1 蒸发-冷凝法基本原理 3.2 特点 在高真空的条件下,金属 试样经蒸发后冷凝。 ①高纯度; ②粒径分布窄; ③良好结晶和清洁表面; ④粒度易于控制 * 电阻加热方式 等离子体加热方式 激光加热方式 电子束加热方式 高频感应加热方式 3.3 能量输入方式 * 第二节 化学气相沉积法 化学气相沉积(CVD)的发展 CVD基本原理 CVD的特点 CVD工艺及设备 CVD系统的分类 * 一、化学气相沉积发展 古人类在取暖或烧烤时在岩洞壁或岩石上的黑色碳层 20世纪50年代主要用于道具涂层 80年代低压CVD成膜技术成为研究热潮 近年来PECVD、LCVD等高速发展 20世纪60-70年代用于集成电路 二、CVD基本原理 1. 化学气相沉积的定义 利用气态物质通过化学反应在基材表面形成固态沉 积物的一种技术。 化学气相沉积(CVD) ——Chemical Vapor Deposition CVD反应范指反应物为气体而生成物之一为固体的 化学反应。 * 2. 化学气相沉积工艺
文档评论(0)