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Bumping凸块技术与工艺介绍 目 录 一、来料 Wafer 二、溅射工艺 三、光刻工艺 四、电镀工艺 五、目前公司产品类型 一、Incoming Wafer介绍 Al SiN P-Si 二、溅射工艺 Sputter是真空镀膜的一种方式。它的工作原理是在高真空的状态中冲 入氩气，在强电场的作用下使气体辉光放电，产生氩正离子，并加速 形成高能量的离子流轰击在靶材表面，使靶原子脱离表面溅射 (沉积) 到硅片表面形成薄膜。它具有以下的优点： 1、不用蒸发源加热器，避免了加热材料的污染； 2、能在大面积上淀积厚度均匀的薄膜，台阶覆盖性能好； 3、淀积层与硅片衬底附着力强。 SPUTTER的工艺流程及形成薄膜（UBM层）： Cu 预清洗 SiN Ti Al SRD甩干 烘烤 特点： 溅射形成的金属薄膜表面光亮如镜，无氧化现象，纯 工序检验 度高，粒子好，膜层均匀，厚度达到一定要求。 溅射 原理 （一）Pre-Clean 目的：去除Wafer表面有机物污染和颗粒； Pre-Clean用丙酮、异丙醇、水等三种溶剂: 丙酮是有机溶剂，能够溶解Wafer表面有机物，异丙醇能够溶解丙酮，同时又能 以任何比例溶解在水中，最后通过纯水QDR，达到清洗Wafer，去除Wafer表 面有机物污染和颗粒的目的。 使用超声波+有机溶剂清洗: 超声清洗有时也被称作“无刷擦洗”，特点是速度快、质量高、易于实现自动化。 它特别适用于清洗表面形状复杂的工件，如对于精密工件上的空穴、狭缝、 凹槽、微孔及暗洞等处。通常的洗刷方法难以奏效，利用超声清洗则可取得 理想效果。对声反射强的材料，如金属、玻璃、塑料等，其清洗效果较好； 对声吸收较大的材料，如橡胶、布料等，清洗效果则较差些。 采用超声波清洗时，一般应用化学清洗剂和水基清洗剂作为介质。清洗介质本身 利用的是化学去污作用，可以加速超声波清洗效果。 （二）溅射 等离子体介绍 等离子体是部分电离的电中性的气体,是常见的固态，液态，气态以外的 第四态。等离子体由电子、离子、自由基、光子、及其它中性粒子组成。 由于等离子体中电子、 离子和自由基等活泼粒子的存在, 因而很容易与 固体表面发生反应。这种反应可分为物理溅射和化学反应。物理溅射是指等 离子体中的正离子在电场中获得能量去撞击表面。这种碰撞能移去表面分子 片段和原子，因而使污染物从表面去除。另一方面，物理溅射能够改变表面 的微观形态，使表面在分子级范围内变得更加 “粗糙”，从而改 善表面的粘 结性能。 等离子体表面化学清洗是通过等离子体自由基参与的化学反应来完成。 因为等离子体产生的自由基具有很强的化学活性而降低了反应的活化能，从 而有利于化学反应的进行。反应中产生的易挥发产物 (主要是气体) 会脱离表 面, 因而表面污染物被清除。反应的有效性, 即表面改性的有效性取决于等 离子体气源, 等离子系统的组合, 及等离子工艺操作参数。 溅射机台ETCH腔利用的是物理溅射，光刻、电镀的等离子刻蚀主要利用 化学反应进行表面清洗。 Etch介绍 在腔体顶部有射频感应线圈，采用频率为7—50兆赫的高频电源感 应加热原理，使流经石英管的工作气体（Ar 、N2、空气等）电离所产 生的火焰状的等离子体，就是电感耦合高频等离子体（I