第6讲低压化学气相沉积.pdf

微机电系统制程 Microfabrication technology 第六讲：低压化学气相沉积 虞益挺 乔大勇 Outline 1 Fundamentals 薄膜淀积之LPCVD 几种淀积模型 薄膜质量评价 2 Exercises 设备结构及原理 设备操作流程 常见故障及排除 设备日常维护 注意事项 1、Fundamentals-薄膜淀积之LPCVD 1、Fundamentals-薄膜淀积之LPCVD 各种薄膜淀积方法 常见薄膜：SCS、SiO 、Si N 、PolySi 、Metals 、Polymer 2 3 4 化学气相淀积(CVD) 外延(Epitaxy) －Oxidation －Vapor Phase (VPE) －Liquid Phase (LPE) －Low Pressure (LPCVD) －Molecular Beam (MBE) －Plasma Enhanced (PECVD) 电化学沉积(Electrochemical 溅射(Sputtering) Deposition) 旋涂(Spin coating) －RF －Spin-on glass (SOG) －DC －Polyimide (PI), photoresist 蒸镀(Evaporation) －PZT －Thermal －Electron-beam －Flash 1、Fundamentals-薄膜淀积之LPCVD 低压化学气相沉积 化学气相淀积(CVD) ：反应气体的输运－气体流量 低压化学气相淀积 (LPCVD) ： 低压：增加了气体的输运速率 反应速率：由温度控制 分子的平均自由程：一个分子在运动过 程中 与其他分子碰撞前所行进的距 离。 1、Fundamentals-薄膜淀积之LPCVD 低压化学气相沉积 反应速率(R): 其中, E 表示活化能(activation energy, eV), k为波兹曼常数 (Boltzmann constant), T为 a 温度(K)。 随着温度的升高, 表面的反应速率随之增加！ 高