行业标准《电子薄膜用高纯钴溅射靶材》编制说明.docVIP

2 PAGE 5 电子薄膜用高纯钴溅射靶材编制说明（送审稿） 工作简况 任务来源 目前国家大力发展战略新兴产业，为半导体产业带来了极大的机遇，3G、移动通信、半导体照明、汽车电子等新兴领域正在迅速发展，其中孕育着巨大市场，这将促进我国的IC产业进一步发展。高纯钴作为制备电子薄膜用主要配套材料，随着我国集成电路产业的快速发展，市场规模日益增大，靶材消耗量逐渐增加。靶材的性能直接影响着金属薄膜电阻率、厚度均匀性、反射率等性能，目前国内高纯钴溅射靶材的生产处于初级阶段，还没有相应的行业标准，很大程度上制约了高纯钴溅射靶材的研发、制作及工业化生产。因此，需要制定相关的标准，以促进现有产品质量的提高，确保高纯钴溅射靶材的检测规范统一，符合统一标准。 根据工信部《关于印发2013年第三批行业标准制修订计划的通知》（工信厅科[2013]163号）文件的精神，由宁波江丰电子材料股份有限公司、有研亿金新材料股份有限公司起草《电子薄膜用高纯钴溅射靶材行业标准》行业标准，项目编号为2013-1591T-YS，完成时间为2014年。 起草单位 宁波江丰电子材料股份有限公司，简称江丰电子，是国内最大的从事集成电路制造用超高纯溅射靶材研发生产基地，其核心团队由多名海外归国博士组成，并引进了多名美国、日本籍专家，形成了在同行业中具有国际影响力的创业团队，靶材产品已被美国、日本、欧洲、韩国、东南亚、中国大陆及台湾的主流半导体公司认可，并得到批量生产采用，形成了具有年产值上亿元的产业基地。多年来，江丰电子所从事的产业是国家中长期高科技发展规划所大力鼓励的，研发及产业化项目已经纳入了国家技术创新体系，先后承担了国家863引导项目、863重大专项、科技部02重大专项、发改委重大专项、工信部专项基金项目。 有研亿金新材料股份有限公司，简称有研亿金，隶属于北京有色金属研究总院。有研亿金是国内率先开展集成电路用靶材研究开发的单位，在集成电路用超高纯金属靶材制备加工领域具有国内领先的优势。多年来，有研亿金具有自主知识产权的高性能靶材制备技术，开发了独具特色的靶材产品，靶材产品涉及Al、Cu、Ti及各种难熔金属与稀贵金属等，形成了具有年产值近亿元的产业基地，具备一大批对超高纯金属材料制备加工技术具有较坚实理论基础和丰富实践经验的专家和技术人员。 主要过程和内容 本标准主管部门为中国有色金属工业协会，编写单位为宁波江丰电子材料股份有限公司、有研亿金新材料股份有限公司。2014年1月主编单位对生产和使用厂家进行了调研和资料收集，并查阅相关标准，确定产品主要技术内容，形成标准的讨论稿。2014年3月26日～3月29日在江苏省扬州市扬州会议中心召开有色金属标准讨论会，与会专家对标准的讨论稿进行了认真、热烈的讨论，撰写了会议纪要，编制组对代表所提意见进行了归纳整理，并对标准进行了认证修订。 编制原则和依据 本标准起草单位自接受起草任务后，本标准编制组收集了生产国内外客户要求、国内厂家实际生产水平等信息，初步确定了《电子薄膜用高纯钴溅射靶材行业标准》起草所遵循的基本原则和编制依据： 查阅相关标准和国内外客户的相关技术要求； 根据国内外高纯钴加工企业具体情况，力求做到标准的合理性和实用性； 广泛适用，操作可行的原则； 有利于创新发展与国际接轨的原则； 主要内容的分析综述 主要内容与适用范围 本标准规定了电子薄膜制备用高纯钴溅射靶材的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输贮存、订货单（或合同）等内容。 本规范适用于电子薄膜用高纯钴溅射靶材（简称高纯钴靶） 规范性引用文件 本标准针对客户对电子薄膜用高纯钴靶要求编写。要求包括：纯度、晶粒尺寸、透磁率、外观质量、内部质量、焊接质量、几何尺寸及允许偏差等方面，引用了国家标准4项，国军标1项，其他标准及规范2项。 技术要求 类别与纯度 由于集成电路的集成度越来越高，互联线宽度不断减小，因此对溅射靶材提出非常严格的要求，靶材的纯度直接影响着电子薄膜性能。根据使用的钴原材料中Co含量（wt%）的不同可将高纯钴靶分为4N5 Co（99.995%）、5N Co（99.999%）。 本标准根据最终靶材溅射镀膜用途不同，可以由供需双方协商对某些特殊元素进行控制。参照国内外标准和顾客要求，对一些已知的存在危害的杂质元素含量给出了明确控制要求，这些元素主要包括碱金属K、Na、Li等元素，放射性U和Th元素，以及重金属元素Fe、Ni、Cr等。碱金属离子（K+、Na+、Li+）易在绝缘层中成为可移动性离子，降低元器件性能；铀（U）和钍（Th）等放射性元素会释放α射线，造成元器件产生软击穿；重金属（Fe、Ni、Cr等）离子会产生界面漏电及氧元素增加等等，因此须对靶材原材料中该类元素进行控制。 晶粒尺寸 靶材的晶粒尺寸对溅射薄膜的制备和性能有较大影响。当晶