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多路超低电容TVS阵列企业规范 JS- 多路超低电容TVS阵列企业规范 2019-08-19 发布 2019-08-19 实施 无锡中微晶园电子有限公司 1 / 8 多路超低电容TVS阵列企业规范 JS- 1 范围 本标准规定了多路超低电容TVS阵列的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输及储 存等。本标准适用于无锡中微晶园电子有限公司。 2 引用文件 GB/T 4589.1 半导体器件 第 10 部分：分立器件和集成电路总规范 GB/T 6588 半导体器件 分立器件 第 3 部分：信号（包括开关）和调整二极管 第 1 篇 信号二极管、 开关二极管和可控雪崩整流二极管空白详细规范 GB/T 12560 半导体器件 分立器件分规范 GB/T 2423.22 环境试验 第 2 部分：试验方法 试验 N：温度变化 GB/T 17626.2 电磁兼容 试验和测量技术 静电放电抗扰度试验 GB/T 18802.321-2007 低压电涌保护器元件 第 321 部分：雪崩击穿二极管（ABD ）规范 SJ 50033.133 半导体分立器件 SY5629～5665A 型瞬态电压抑制二极管详细规范 JESD22-A101 Steady-State Temperature-Humidity Bias Life Test （高温高湿反偏测试） JESD22-A102 Accelerated Moisture Resistance - Unbiased Autoclave （高压蒸煮） JESD22-A103 High Temperature Storage Life （高温贮存寿命） JESD22-A108 Temperature, Bias, and Operating Life （高温反偏寿命） JESD22-A111 Evaluation Procedure for Determining Capability to Bottom Side Board Attach by Full BodySolder Immersion of Small Surface Mount Solid State Devices （耐焊接热） JESD22-A113 Preconditioning Prior to Reliability Testing （预处理） JESD22-A118 Accelerated Moisture Resistance-Unbiased HAST （无偏高加速应力试验） JESD22-B100 Physical Dimensions （物理尺寸） JESD22-B106 Resistance to Solder Shock for Through-Hole Mounted Devices （耐焊接热） J-STD-002 Solderability Test for Component Leads, Terminations, Lugs, Terminals and Wires （可焊 性） J-STD-020 Moisture/Reflow Sensitivity Classification for Nonhermetic Solid State Surface Mount Devices （预处理） 2 / 8 多路超低电容TVS阵列企业规范 JS- 3 定义与术语 3.1 瞬态抑制二极管（TVS ） 用于抑制瞬态电压和分流电涌电流的器件。也可以是由多个器件封装而成的具有一个公共端子的两 端二极管。 3.2 贮存温度(Tstg) 不施加任何电压时器件可贮放的温度范围。 3.3 结温(T ) j 基于器件的热特性和电特性的简化模式，表示计算的结理论温度。 3.4 最大箝位电压（VC ） 施