GB/T 1993-1993旋转电机冷却方法.pdf

中华人民共和国国家标准 低 压 熔 断 器 GB 13539.4一92 半导体器件保护用熔断体的补充要求 Low-voltagefuses Supplementaryrequirementsforfuse-]且nksfortheprotection ofsemiconductordevices 本标准参照采用国际标准·IEC269-40986)《低压熔断器 半导体器件保护用熔断体的补充要 求》。 本标准应与GB13539.1-92低《压熔断器 基本要求》一起使用。除非本标准另有说明，半导体器 件保护用熔断体，还应符合GB13539.1的规定。 主肠内容与适用范围 本标准规定了半导体器件保护用熔断体的额定值、正常使用下的温升、耗散功率、时间一电流特性、 分断能力、截断电流特性、It特性、电弧电压特性、试验和标志． 本标准适用于交流额定电压不超过1200V或直流额定电压不超过1500V的电路中具有半导体器 件的设备上使用的熔断体。 注：① 在多数情况下，以组合设备的一部分作为熔断体的底座．由于设备种类萦多，难以作出一般的规定．组合设 备是否适合用作熔断体的底座．应由用户与制造厂协商。但是，当采用独立的熔断器底座或支持件时，则它 们应符合GB13539.1的有关规定。 ② 这种熔断体通常称为 “半导体熔断体”． 2 引用标准 GB321优先数和优先数系 GB13539.1 低压熔断器 基本要求 3 术语、符号、代号 3.1 术语 3.1.1半导体器件 semiconductordevice 基本特性是由于载流子在半导体中流动引起的一种器件。 3.1.2 半导体熔断体 semiconductorfuse-link 在规定条件下，能够分断7.2范围内的任何电流值的一种限流熔断体。 注：GB13539.1中术语：，（熔断体的）使用类别’．本标准不适用。 3.2 符号 r 时间常数 4 分类 GB13539.1的规定不适用． 国家技术监．局1992一07一01批准 1993一03一01实施 GB13539．4一92 5 特性 5.1 熔断体 电弧电压特性． 5.2 额定电压 若有特殊需要，用户可与制造厂协商，按GB321中R5或R10系列选取． 5.3 额定频率 额定频率是指与性能数据有关的频率． 5.4 熔断体的额定耗散功率 除GB13539.1中的规定外，制造厂还应规定耗散功率与50％-100％领定电流的函数关系或规定 50%,6300,80％和1000o额定电流时的耗散功率． 注：若孺知道熔断体的电阻值时，此电阻值应根据耗傲功率与电流的函数关系来确定． 5.5 时间一电流特性的极限 5.5.1 时间一电流特性、时间一电流带 熔断体的时间一电流特性随设计而改变，对于给定的熔断体，则与周围空气温度和冷却条件有关。 制造厂应按8.2规定的条件，提供周围空气温度为20^-25℃时的时间一电流特性。时间一电流特性是 弧前时间一电流特性和在额定频率时，以电压为参数的熔断时间一电流特性。 直流的时间一电流特性是按表4规定的时间常数时的特性。 对于某些使用场合，特别是对于高的预期电流 时（间较短），可以用Ili特性来代替时间一电流特性或 同时规定Ili特性和时间一电流特性． 5.5-1.1弧前时间一电流特性 对于交流：弧前时间一电流特性应以额定频率时的交流有效值表示． 注：在俪定孩率时的10个周波左右时间与实际上处于绝热状态很短的时间之间，这特别重要。 对于直流：对时间超过15r的弧前时间一电流特性部分特别重要，并且与这区域内的交流弧前时间－ 电流特性相同。 注：① 由于实际使用中遇到的电路时间常数的范田比较大，时间短于15r的特性，以弧前Ili特性来表示较为方便． ② 选择15r的数值是为了避免在较短时间时，电流增长的不同速率对弧前时间一电流特性的影响． 5.5